Жартылай ткізгіштерді оспалы ткізгіштігі.

Жартылай ткізгішті ткізгіштігіне оспа лкен сер етеді. Мысалы ретінде Ge атомдарын арастырайы. Германий атомында трт валентті электрон бар. Атомдар ковалентті байланыста болады. Егер германий кристалды торына бес валентті сурьма атомын енгізсек, онда оны трт электроны ковалентті байланыс болып, ал бесінші электрон ядродаа нашар тартылып еркін электрон болады. Мндай оспаны электронды н/е n-типтес жартылай ткізгіштік деп аталады. оспа атомын ендіру германий атомыны кеістік торыны рісін згертіп, тыйым салынан зонаны ішінде осымша энергетикалы дегейін туызады. Оны донорлы дегей деп, ал опспа атомдарын донорлы атом дейді. Бл энергияны шамасы тыйым салынан зонаны энергиясынан лдеайда аз, яни блме температураларды зін де жылулы озалыс энергиясыны зі оспа дегейіндегі электрондарды ткізгіш зонаа ктеру шін жеткілікті.

Кристалды германий торына ш валентті индий атомын енгізейік. Бл жадайда толы ковалентті байланыс жасау шін бір электрон жетіспейді. Жйеде кемтік пайда болады, электр ткізгіштігі кемтіктер озалысынан жасалады, сондытан оны кемтіктік ткізгіштігі болады да, р-типтес жартылай ткізгіш деп аталады. ш валентті индий атомын ендіруді нтижесінде тыйым салынан зонаны тменгі жаында осымша дегей пайда болады, оны акцепторлы дегей, ал оспа атомдарын акцепторлы атом деп аталады. Бл энергияны шамасы тыйым салынан зона энергиясынан лдеайда аз, яни валенттік зонадаы электрондар акцепторлы дегейге тіп, бос орын алдырады, валенттік зонадаы кемтіктер ток тасымалдайды. Жартылай ткізгішті температурасы згергенде ток тасымалдайтын блшекті концентрациясы жне электронны еркін жолыны орташа уаыты згереді. Металдарда электронны еркін жолыны орташа уаыты температура скен сайын азаяды да, кедергі кбееді, ал концентрациясы згермейді. Меншікті жартылай ткізгіште экспоненциалды трде згеретін концентрацияны згеруі лдеайда басым болады. Сондытан температура скенде таза жартылай ткізгішті электр ткізгіштігі тік седі. оспалы жартылай ткізгіште концентрациясыны температураа байланыстылыы крделірек. Температура жоарлаанда, оспа концентрациясы жылдам аныу мніне жетеді. Бл барлы донор электрондар босалып немесе акцептор децгейлері электронмен толтырылады. Сонымен атар температура скен сайын жартылай ткізгішті меншікті де электр ткізгіштігі з лесін оса бастайды, электрондар валентті зонадан ткізгіш зонасына кшеді. Сйтіп лкен температурада жартылай ткізгішті ткізгіштігі оспа жне меншікті ткізгіштен трады. Тменгі температурада тек ана оспа ткізгіштігі болады.