Проектирование контура гетеродина

Расчет контура гетеродина производится в следующем порядке.

1. Разбивка общего диапазона рабочих частот на поддиапазоны

Определяется коэффициент перекрытия поддиапазона kпд входного контура.

, (16)

где Cэmax= Cmax + Спост ; Cэmin = Cmin + Спост – соответственно, максимальная и минимальная результирующие емкости контура, пФ; Спост – составляющая емкости сигнальных контуров.

Диапазоны возможных значений Спост приведены в табл. 3.

Таблица 3

Диапазон волн Километровые Гектометровые Декаметровые Метровые
Длины волн 10…1 км 1000… …100 м 100…10 м 10…1 м
Диапазон частот, МГц 0,03…0,3 0,3…3 3…30 30…300
Спост, пФ 60…90 40…60 30…45 25…35

 

В табл. 4 представлены примерные значения емкостей переменных и подстроечных конденсаторов, требуемые для различных диапазонов частот.

Таблица 4

Диапазон частот, МГц Емкость конденсатора переменной емкости, пФ Емкость подстроечного конденсатора, пФ
Cmin Cmax Cпmin Cпmax
0,03…0,3 15…30 450…750 2…5 15…25
0,3…3 12…25 250…500 2…3 10…20
3…30 7…15 50…250 2…3 8…13
30…300 3…7 10…50 0,6…1,5 2…5

 

В соответствии с таблицами Спост=60 пФ, Cmin=12 пФ, Cmax=250 пФ,

Cпmax=10 пФ, Cпmin=3 пФ

Cэmax= Cmax + Спост = 310 пФ ; Cэmin = Cmin + Спост= 72 пФ

=

Разбивка на поддиапазоны общего диапазона частот требуется, если выполняется неравенство

Следовательно разбивка на поддиапазоны не требуется.

Рассчитываются граничные частоты поддиапазонов контуров гетеродина по формулам:

fminг = fmin + fпр; (17)

fmaxг = fmax + fпр. (17а)

fminг=0,15+0,11=0,26 МГц; fmaxг=0,41+0,11=0,52 МГц

По формуле (18) рассчитывается коэффициент перекрытия поддиапазона гетеродина.

(18)

2. Рассчитываются значения емкостей С3, С2 и С, входящих в состав контура входной цепи радиоприемника.

Подстроечный конденсатор С3 со средней емкостью Сп.ср служит для выравнивания начальной эквивалентной емкости контура. Значение Сп.ср рассчитывается по формуле:

= , (19)

где Спmin и Спmax – соответственно, минимальная и максимальная емкости подстроечного конденсатора. Их значения берутся из табл. 4.

Значение емкости С2 рассчитывается по формуле [36]:

, (20)

где Сv = CmaxCmin – переменная часть емкости конденсатора переменной емкости; kпд – коэффициент перекрытия поддиапазона Сv=238 пФ

Коэффициент HС представляет отношение производных от емкости настроечного конденсатора переменной емкости С по управляющему параметру х при минимальной fimin и максимальной fimax частотах поддиапазона:

. (21)

=95. (22)

=84,7 пФ

Значение емкости С рассчитывается по формуле:

(23)

где ;

3. Рассчитываются значения С3 г. и С1э.г.

С1э.г = С=0,57 пФ; (24)

С = С2=84,7 пФ; (25)

С = Ск.гmin =6,5 пФ, (26)

где

= ; (27)

; (28)

; (29)

Сmin и Cmax – минимальная и максимальная емкости КПЕ.

Величина емкости дополнительного конденсатора С рассчитывается по формуле:

С = С1э.гС мСL= С1э.г + С пост=0,57+60=60,57 пФ, (30)

где Сми СL – емкости монтажа и катушки индуктивности соответственно.

4. Рассчитывается необходимая индуктивность контура гетеродина на минимальной частоте поддиапазона fiгmax , мкГн:

= , (30)

где fгmax выражается в МГц; Ск.гmin – в пФ.

5. Рассчитывается допустимый коэффициент включения p контура в коллекторную цепь усилительного прибора:

(31)

где Uткmax – максимальное значение амплитуды напряжения на коллекторе транзистора; Iткmin – минимальная амплитуда первой гармоники коллекторного тока (при минимальной температуре эксплуатации, минимальном значении параметра h21Е на минимальной частоте); – отношение наибольшего значения напряжения на коллекторе транзистора к наименьшему значению; rэ.к – минимальное значение сопротивления эквивалентного колебательного контура.

Значение kU находится из следующего выражения:

(32)

где – относительное отклонение тока эмиттера вследствие отклонения коэффициента усиления тока эмиттера от среднего значения до максимального;

– относительное отклонение тока эмиттера вследствие повышения температуры окружающей среды от 20 °С до наибольшего значения ;

b 0,1¼0,15 – параметр стабилизации эмиттерного тока b=0,1;

kпд.г – коэффициент перекрытия поддиапазона контура гетеродина.

Величины и рассчитываются по формулам:

(33)

(34)

где R1 и R2 – сопротивления делителя, включенного в цепь базы транзистора; Rэ – сопротивления нагрузки в цепи эмиттера; Iэ 1¼10 мА – постоянная составляющая тока эмиттера при отсутствии генерации, среднем значении h21б и комнатной температуре; DT = – 20 °С – температура перегрева транзистора; t = 7 для кремниевых транзисторов.

Величина тока эмиттера Iэ, А, задается соотношением

(35)

где Uкэ.р = (Uп – 1)/2 – среднее напряжение на переходе коллектор-эмиттер, определяющее рабочую точку транзистора, В; Pвых = (0,5¼0,7)Pкmax – величина выходной мощности, рассеиваемой в нагрузке, Вт; Uп – напряжение источника питания, В, которое определяется из выражения

Uп = (0,6¼0,8)Uкэmax=15В.

Выбирается ближайшее стандартное значение Uп из ряда: 5,0; 6,0; 9,0; 12,6; 15; 24; 27 В.

Исходя из формулы определения значения тока насыщения Iк.н. (рис.5), находим значения Rэ и Rк:

(36)

Отсюда (37)

Значение сопротивления делителя R2, Ом, можно оценить по формуле:

(38)

где номинальное значение тока базы Iб.р. оценивается из соотношения:

.

Величина сопротивления резистора R1, Ом, рассчитывается по формуле:

. (39)

Значение максимального значения амплитуды напряжения на коллекторе транзистора Uткmax, В, рассчитывается по формуле:

Uткmax = 0,9(UпIэmaxRэ – 0,5)=0,9(15-13,1*10-3*200-0,5)=11,6 В. (40)

Величина Iэmax рассчитывается из выражения:

(41)

Значение Iткmin рассчитывается по формуле:

(42)

Величина сопротивления эквивалентного колебательного контура rэ.к, Ом, рассчитывается по формуле:

(43)

где Lк.г – индуктивность катушки контура гетеродина, мкГн; fiгmin выражается в МГц; Qэ – добротность эквивалентного контура.

Величина Qэ рассчитывается из выражения:

(44)

где Qк – конструктивная добротность контура (заданная в ТЗ).

6. Вычисляется величина индуктивности L, подключаемой к коллекторной цепи транзистора:

, (45)

где kсв 0,9 – коэффициент связи между катушкой L и всей катушкой контура (кроме L).

7. Рассчитывается коэффициент включения контура в цепь эмиттер-база p, необходимый для получения выбранного значения Uтэmin (в пределах 0,05…0,10 мВ):

(46)

8. Вычисляется индуктивность L:

(47)

9. Рассчитывается разделительная емкость Срг, пФ:

= (48)

где Iткmin выражается в мА, Uтэmin – в мВ, fiгmin – в МГц.

10. Рассчитывается емкость блокировочного конденсатора Сбл:

(49)

11. Рассчитывается емкость Срк, пФ:

(50)

где fiг min выражается в МГц.

12. Расчет коэффициента усиления каскада по напряжению:

Без обратной связи. Для каскада, включенного по схеме с ОЭ , на средних частотах коэффициент усиления по напряжению определяется формулой:

где

С учетом обратной связи. Для каскада , включенного по схеме с ОЭ , коэффициент усиления по напряжению с учетом обратной связи определяется формулой: