орядок выполнения второго контрольного задания
Изобразить полную принципиальную схему анализируемого каскада из таблицы 3.1, подключив к ней источник сигнала и нагрузку.
Источник сигнала представляет источник переменной ЭДС с амплитудой EГ = 1мВ, частотой f =10кГц и внутренним сопротивлением RГ = 1кОм. Нагрузка состоит из параллельно включенных резистора RН = 1кОм и конденсатора СН = 100 пФ. Нагрузка подключается к выходу усилителя через разделительный конденсатор СР = 10 мкФ. Указать на схеме позиционные обозначения всех элементов и их номинальные значения, например ,
.
Таблица 3.1 – Принципиальные схемы усилителей
![]() | ![]() |
![]() | ![]() |
Продолжение таблицы 3.1
![]() | ![]() |
![]() | ![]() |
![]() | ![]() |
Таблица 3.2 – Типы используемых транзисторов
Номер варианта | |||||
Транзистор n-p-n | КТ315А | КТ315В | КТ3102А | КТ316А | КТ355А |
Транзистор p-n-p | КТ361A | КТ361B | КТ3107А | КТ363А | КТ363Б |
Продолжение таблицы 3.2
Номер варианта | |||||
Транзистор n-p-n | КТ316Б | КТ325Б | КТ3108А | КТ3127А | КТ3102А |
Транзистор p-n-p | КТ363Б | КТ363В | КТ3107В | КТ3126А | КТ3126А |
Расчет схемы по постоянному току проводится в следующем порядке.
Рассчитать ток делителя в базовых цепях транзисторов:
. (3.1)
Здесь – сумма сопротивлений последовательно включенных резисторов в базовой цепи.
Определить потенциалы баз транзисторов по формуле
, (3.2)
где – суммарное сопротивление резисторов, включенных между базой и общим проводом.
Найти потенциалы эмиттеров транзисторов по формуле
. (3.3)
Напряжение выбирается в интервале 0,5…0,7 В для кремниевых транзисторов и 0,3…0,4 В для германиевых транзисторов.
Рассчитать ток в резисторе , подключенном к эмиттеру транзистора:
, (3.4)
где – сопротивление в цепи эмиттера.
Рассчитать ток коллектора в рабочей точке:
. (3.5)
Определить напряжение на коллекторе в рабочей точке
. (3.6)
Если в схеме имеются обратные связи по постоянному току, то составляются системы уравнений, связывающие базовые (или коллекторные) токи входного и оконечного каскадов. Решив систему уравнений, находят значения этих токов. По значениям токов рассчитываются потенциалы электродов транзисторов.
По результатам расчета статического режима определяются параметры моделей первого и второго транзисторов по формулам (2.1) – (2.9).
Используя соотношения, приведенные в таблицах 3.3 – 3.5, определяют коэффициент передачи по напряжению, входное и выходное сопротивление оконечного каскада.
По тем же соотношениям определяют коэффициент передачи по напряжению, сквозной коэффициент передачи по напряжению, входное и выходное сопротивления входного каскада. При этом необходимо учитывать, что нагрузкой входного каскада является входное сопротивление оконечного каскада.
Коэффициент передачи по напряжению всего усилителя определяется по формуле
, (3.7)
где и
– коэффициенты передачи по напряжению входного и оконечного каскада соответственно.
Сквозной коэффициент передачи по напряжению всего усилителя определяется аналогично:
, (3.8)
где – сквозной коэффициент передачи по напряжению входного каскада;
–коэффициент передачи по напряжению оконечного каскада.
Входное сопротивление усилителя определяется входным сопротивлениием входного каскада, а выходное – выходным сопротивлением оконечного каскада.
Нижняя и верхняя граничные частоты определяются по формулам, приведенным в таблицах 3.6 и 3.7.
Таблица 3.3 – Расчетные соотношения для схемы с общим эмиттером
Параметр | Расчетное соотношение |
Входное сопротивление транзистора | ![]() |
Входное сопротивление каскада | ![]() ![]() |
Выходное сопротивление каскада | ![]() |
Сопротивление нагрузки каскада по переменному току | ![]() |
Коэффициент передачи каскада по напряжению | ![]() |
Продолжение таблицы 3.3
Параметр | Расчетное соотношение |
Сквозной коэффициент передачи по напряжению | ![]() |
Таблица 3.4 – Расчетные соотношения для схемы с общей базой
Параметр | Расчетное соотношение |
Входное сопротивление транзистора | ![]() |
Входное сопротивление каскада | ![]() |
Выходное сопротивление каскада | ![]() |
Сопротивление нагрузки каскада по переменному току | ![]() |
Коэффициент передачи каскада по напряжению | ![]() |
Сквозной коэффициент передачи по напряжению | ![]() |
Таблица 3.5 – Расчетные соотношения для схемы с общим коллектором
Параметр | Расчетное соотношение |
Входное сопротивление транзистора | ![]() |
Входное сопротивление каскада | ![]() |
Выходное сопротивление каскада | ![]() ![]() |
Сопротивление нагрузки каскада по переменному току | ![]() |
Коэффициент передачи каскада по напряжению | ![]() |
Сквозной коэффициент передачи по напряжению | ![]() |
Таблица 3.6 – Расчетные соотношения для определения нижней и верхней частоты среза каскада
Параметр | Расчетное соотношение |
Нижняя частота среза | ![]() ![]() |
Эквивалентная постоянная времени каскада в области нижних частот | ![]() ![]() ![]() |
Постоянная времени, связанная с i-м разделительным конденсатором | ![]() ![]() ![]() ![]() |
Постоянная времени, связанная с j-м блокировочным конденсатором | ![]() ![]() ![]() |
Верхняя частота среза | ![]() |
Эквивалентная постоянная времени каскада в области верхних частот | ![]() ![]() |
Продолжение таблицы 3.6
Параметр | Расчетное соотношение |
Постоянная времени в области верхних частот i-й цепи каскада | ![]() ![]() ![]() |
Таблица 3.7 – Расчетные соотношения для определения емкостей усилительных каскадов
Параметр | Расчетное соотношение |
Входная емкость транзистора в схеме с общей базой | ![]() ![]() |
Входная емкость транзистора в схеме с общим эмиттером | ![]() |
Входная емкость транзистора в схеме с общим коллектором | ![]() |
В качестве примера приведем расчет двухкаскадного усилителя, представленного на рисунке 3.1.
Для сокращения объема таблица со справочными параметрами транзисторов в примере не приводится, а в контрольном задании такая таблица должна быть обязательно.
Коэффициент передачи по току транзистора КТ315А равен
.
В данном усилителе имеется отрицательная обратная связь по постоянному току, поэтому статический режим схемы определим из системы уравнений:
(3.9)
Здесь UK , UБ, UЭ – потенциалы коллектора, базы и эмиттера относительно общего провода соответственно, UБЭ – напряжение база–эмиттер, IК , IБ – ток коллектора и базы, причем индекс 1 относится к входному транзистору VT1, а индекс 2 – к выходному транзистору VT2.
В современных транзисторах выполняется соотношение IK>>IБ , поэтому систему (3.9) можно упростить без существенной потери в точности:
(3.10)
Здесь принято UБЭ2 =UБ1= 0,6 В – напряжение на открытых переходах кремниевых транзисторов.
Подставив значение тока IБ1 в первое уравнение системы (3.10) получаем
. (3.11)
Подставив все значения в уравнение (3.11), находим величину базового тока второго транзистора IБ2 = 64 мкА.
Из второго уравнения системы (3.10) определяем значение базового тока первого транзистора IБ1 = 45 мкА.
Токи коллекторов транзисторов:
мА,
мА.
Потенциалы коллекторов транзисторов:
В,
В.
Напряжения коллектор–эмиттер транзисторов:
В,
В.
Для обоих транзисторов выполняется условие , следовательно, транзисторы работают в активном режиме.
Находим параметры моделей транзисторов.
Выходные проводимости определяются как
,
.
Здесь =100 В – принятое значение напряжения Эрли .
Определяем граничную частоту :
.
Предельная частота усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером равна
.
Объемное сопротивление области базы определяем из постоянной времени
коллекторного перехода транзистора:
. Здесь
=7 пФ – емкость коллектора транзистора при измерении
.
Дифференциальное сопротивление эмиттеров найдем по формулам
,
.
Дифференциальное сопротивление эмиттерных переходов определим по формулам
,
.
Входные сопротивления транзисторов равны
,
.
Емкости эмиттерных переходов находим по формулам
,
.
Выходные сопротивления каскадов находим по формулам
,
.
Их входные сопротивления равны
,
.
Эквивалентные сопротивления нагрузки по переменному току:
,
.
Коэффициенты передачи по напряжению:
,
.
Сквозной коэффициент передачи по напряжению первого каскада и всего усилителя в целом:
,
.
Постоянные времени в области нижних частот , связанные с разделительными конденсаторами С1, С2 и С4, определяются по формулам
,
,
.
Эквивалентное сопротивление второго транзистора по цепи эмиттера:
Постоянная времени в области нижних частот, связанная с блокировочным конденсатором С3, определяется по формуле
.
Эквивалентная постоянная времени в области нижних частот равна
.
Нижняя частота среза определяется по формуле
.
В усилителе имеются три постоянных времени в области верхних частот, связанные с входными цепями входного и оконечного транзисторов и емкостью нагрузки:
,
,
,
.
Эквивалентная постоянная времени в области нижних частот равна
Верхняя частота среза определяется по формуле
.
Литература
1 Войшвилло, Г. В. Усилительные устройства / Г. В. Войшвилло. – М. : Радио и связь, 1983.
2 Титце, У. Полупроводниковая схемотехника. / У. Титце, К. Шенк. – М. : Мир, 1982.
3 Галкин, В. И. Полупроводниковые приборы : справочник / В. И. Галкин, А. Л. Булычев, В. А. Прохоров. – 2-е изд. – Минск : Беларусь, 1987.
Содержание
1 Методические рекомендации по выполнению контрольных
заданий…………………………………………………………………………….3
2 Порядок выполнения первого контрольного задания………………..4
3 Порядок выполнения второго контрольного задания……………….11
Литература…………………………………………………………………21
![]() |
Св. план 2008 , поз. 92
Учебное издание
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
Методические указания и контрольные задания
для студентов специальности I- 45 01 03 «Сети телекоммуникаций»
заочной формы обучения
Составитель
ШатилоНиколай Иванович
Редактор М. В. Тезина
Корректор Е. Н. Батурчик
Подписано в печать 30.05.2008. Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная.
Гарнитура «Таймс». Печать ризографическая. Усл. печ. л. 1,51.
Уч.-изд. л. 1,2. Тираж 75 экз. Заказ 40.
Издатель и полиграфическое исполнение: Учреждение образования
«Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»
ЛИ №02330/0056964 от 01.04.2004. ЛП №02330/0131666 от 30.04.2004.
220013, Минск, П. Бровки, 6