ГРАФІЧНО-РОЗРАХУНКОВОЇ РОБОТИ
В розділах роботи необхідно описати:
Завдання до графічно-розрахункової роботи. Включає: назва теми роботи та початкові дані (об’єм ОЗП або ПЗП і організація мікросхеми пам’яті).
Постановка задачi:Розробити блок пам’яті заданого об’єму (М= N x 8) на основі мікросхеми пам’яті з організацією (Ni х ni ), вибравши тип мікросхеми пам’яті, область адресного простору, синтезувавши дешифратор адрес і принципову електричну схему.
Зміст. Перед текстом пояснювальної записки помiщається змiст роботи на окремiй сторiнцi.
Вступ. Тут необхiдно вiдобразити актуальнiсть розробки блоку пам’яті, перспективність застосування пам’яті в мікропроцесорних системах. загальний пiдхiд до розв’язку поставленої задачі.
1. Вибір і обгрунтування типу мікросхеми пам’яті.Вибрати тип пам’яті відповідної організіції (Ni х ni ), навести умовне позначення мікросхеми пам’яті, описати виводи, електричні параметри та часові діаграми (керуючись своїм варіантом завдання).
Основними технічними параметрами мікросхем пам’яті є організація пам’яті (Ni х ni ), де число комірок х розрядість комірки, швидкодія (час вибірки, запису, тривалістю циклу звернення, що визначається мінімально допустимим інтервалом часу між двома послідовними зверненнями до ЗП), потужність споживання, напруга живлення, режим роботи, конструктивне виконання. В кристалах мікросхеми пам’яті містяться матриця запам’ятовуючих елементів, адресний дешифратор, керуючі та підсилюючі схеми. Економічною характеристикою мікросхеми пам’яті є питома вартість, що визначається відношенням вартості ЗП до його інформаційної ємності (Ni х ni ).
Таблиця 1
Основні параметри ряду мікросхем для реалізації ОЗП
| Мікросхема пам’яті | Технологія виготовлення | Органі- зація | Час дотупу до комірки пам’яті (нс) | Потужність споживання (мВт) | Напруга живлення (В) |
| КР132РУ1 | n-MOH | 4Kx1 | +5 | ||
| КР132РУ2 | n-MOH | 1Kx1 | +5 | ||
| КР132РУ3 | n-MOH | 1Kx1 | +5 | ||
| КР132РУ4 | n-MOH | 1Kx1 | +5 | ||
| КР132РУ8 | n-MOH | 1Kx1 | +5 | ||
| КМ132РУ6а | n-MOH | 16Kx1 | +5 | ||
| К134РУ6 | ТТЛ | 1Kx1 | +5 | ||
| К155РУ7 | ТТЛ | 1Kx1 | +5 | ||
| К505РУ6 | n-MOH | 1Kx1 | +5 | ||
| КР537РУ1А | КМОН | 1Kx1 | +5 | ||
| КР537РУ2А | КMOH | 4Kx1 | +5 | ||
| КР537РУ3А | КMOH | 4Kx1 | +5 | ||
| КР537РУ8А | КMOH | 2Kx8 | +5 | ||
| К565РУ3А | n-MOH | 1Кх1 | +5 | ||
| КР581РУ4 | n-MOH | 4Кх1 | +5,-5,+12 | ||
| 1603РУ1 | n-MOH | 16Кх1 | +5,-5,-12 |
Таблиця 2
Основні параметри ряду мікросхем для реалізації ПЗП
| Мікросхема | Технологія виготовлення | Об’єм (організація) | Час дотупу до комірки пам’яті (нс) | Потужність споживання (мВт) | Напруга живлення (В) |
| КР556РТ12 | ТТЛШ | 1Kx4 | +5 | ||
| КР556РТ13 | ТТЛШ | 1Kx4 | +5 | ||
| КР556РТ14 | ТТЛШ | 2Kx4 | +5 | ||
| КР556РТ15 | ТТЛШ | 2Kx4 | +5 | ||
| КР556РТ16 | ТТЛШ | 8Kx8 | +5 | ||
| КР556РТ18 | ТТЛШ | 2Kx8 | +5 | ||
| К573РФ1 | n-MOH | 1Kx8 | +5,-5,12 | ||
| К573РФ2 | n-MOH | 2Kx8 | +5 | ||
| К573РФ3 | n-MOH | 4Kx16 | +5 | ||
| К573РФ4 | n-MOH | 8Kx8 | +5 | ||
| К573РФ5 | n-MOH | 2Kx8 | +5 | ||
| К573РФ21 | n-MOH | 1Kx8 | +5 | ||
| К573РФ23 | n-MOH | 2Kx4 | - | - | +5 |
| К573РФ33 | n-MOH | 1Kx16 | +5 |
Вибір мікросхем пам’яті [1] для заданої організації можна взяти з наведених таблиць.
2. Виділення адресного простору для блоку пам’яті.Привести схему розподілу адресного простору для МПС, що містить відповідні об’єми для ОЗП або ПЗП та надати відповідну таблицю.
В адресний простір МП КР580ВМ80 входить 64К адрес пам’яті(216), що визначається 16 - розрядною адресною шиною. Мікропроцесор КР580ВМ80 може здійснювати синхронний і асинхронний обмін інформацією за даними адресами з пам’ятю (ПЗП, ОЗП) та зовнішніми пристроями. При обробці інформації МП зчитує коди команд з ПЗП, а дані считує чи записує в ОЗП або виконує обмін інформації з пам’ятю та регістрами РЗК.
|
…
01FF h
...
|
…
05FFh
...
FFFFh
Схема 2. Виділення простору адрес для блоку пам’яті об’ємом 512В.