РАЗДЕЛ 3 НЕЛИНЕЙНЫЕ И ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ

ТЕМА 3.1 НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ, ИХ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ

 


ПРОВЕРОЧНАЯ РАБОТА ПО «НЕЛИНЕЙНЫМ ЦЕПЯМ»

1. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 1В, при Uкэ = 5В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора 2Т 860 задана графиком

2. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.9В, при Uкэ = 5В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора 2Т 860 задана графиком

3. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.7В, при Uкэ = 0В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора 2Т 860 задана графиком

4. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.6В, при Uкэ = 0В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора 2Т 860 задана графиком

5. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 2В при Uкэ = 5В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора 2Т 827 задана графиком

6. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 1.75В при Uкэ = 5В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора 2Т 827 задана графиком

7. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 1.5В при Uкэ = 5В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора 2Т 827 задана графиком

8. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 1В при Uкэ = 0В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора 2Т 827 задана графиком

9. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.7В при Uкэ = 5В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 3176 задана графиком

 

 

10. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.75В при Uкэ = 5В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 3176 задана графиком

 

11. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.6В при Uкэ = 0В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 3176 задана графиком

12. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.65В при Uкэ = 0В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 3176 задана графиком

13. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.8В при Uкэ = 5В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 216 А задана графиком

14. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.6В при Uкэ = 0В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 216 А задана графиком

15. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.7В при Uкэ = 5В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 216 А задана графиком

16. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.65В при Uкэ = 0В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 216 А задана графиком

17. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.6В при Uкэ = 0В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 218 А задана графиком

18. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.7В при Uкэ = 5В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 218 А задана графиком

19. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.8В при Uкэ = 5В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 218 А задана графиком

20. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.55В при Uкэ = 0В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 218 А задана графиком

21. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.8В при Uк =3В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 847 А задана графиком

 

22. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.8В при Uк =0В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 847 А задана графиком

23. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.7В при Uк =0В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 847 А задана графиком

24. Найти коэффициенты а0, а1, а2, определяющие аппроксимацию вида iб = a0+ a1*(uбэ -U0)+ a2*(uбэ -U0)2 в окрестности рабочей точки U0 = 0.9В при Uк =3В. Экспериментально снятая входная характеристика iб =f(uкэ), транзистора КТ 847 А задана графиком

 


ТЕМА 3.2 МЕТОДЫ ГАРМОНИЧЕСКОГО АНАЛИЗА

 

КАРТОЧКА-ЗАДАНИЕ

Вычислить постоянную составляющую I0 и первую гармонику I1 тока.

Нелинейный элемент имеет кусочно-линейную ВАХ с параметрами Uн = Х В, S = Y мА/В.

К данному элементу приложено напряжение (В) u = a + b cos t.

Данные своего варианта возьмите из табли­цы 1.

 

Таблица 1 – Исходные данные (N-номер по журналу)

Х,В 0.2N
Y, мА/В N
a 0.1N
b N

Этапы решения

1 Определить угол отсечки , подставив данные своего варианта в выражение

,  

2 По графику рисунок 2.3, определить значения функций Берга.

3 Определить постоянную составляющую I0 и первую гармонику I1 тока по формулам

Рисунок – Графики первых функций Берга


ТЕМА 3.3 ПРЕОБРАЗОВАНИЕ И УМНОЖЕНИЕ ЧАСТОТЫ

Преобразование частоты

Рисунок 1 – Структурная схема преобразователя частоты