![]() |
![]() |
Категории: АстрономияБиология География Другие языки Интернет Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Механика Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Транспорт Физика Философия Финансы Химия Экология Экономика Электроника |
ЭЛЕКТРОДЫ, БАЛЛОНЫ, ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ ДЕТАЛИ 2 страницаЭкранирующая сетка экранирует катод от воздействия поля анода. На сетке выделяется значительное количество тепла, так как она работает при положительном напряжении и имеет значительный ток. Для нее устанавливается наибольшая допустимая мощность рассеивания Защитная сетка расположена близко к аноду, витки ее редки, и к ней особых требований не предъявляется. Баллоны и вспомогательные детали электронных ламп.В качестве материала для баллонов ламп наиболее широкое применение получило стекло (натриевое, боросиликатное, свинцовое, кварцевое) как по своим физическим свойствам (малая электропроводность, малое газовыделение), так и из-за более низкой стоимости по сравнению со стоимостью других материалов. Применяются также комбинированные оболочки – металлокерамические и металлостеклянные. Для комбинированных оболочек используют сталь, медь, алюминий и титан, а керамические оболочки изготавливают из окиси алюминия, кремнезема, форстерита и стеатита. Недостатками стекла являются невысокая механическая прочность и небольшая термостойкость. Максимальная рабочая температура стекла не должна превышать 200°С. Стекло не выдерживает большого перепада температур. Эти недостатки отсутствуют в высокопрочной металлокерамической конструкции, которая выдерживает перепад температур до 400°С. Кроме того, керамика имеет на порядок меньшие диэлектрические потери, что очень важно при работе на свч. Для поддержания в лампе высокого вакуума применяют геттер. Геттером называется поглотитель из материала, который активно и необратимо адсорбирует газы, выделяющиеся из электродов в связи с их нагревом или электронно-ионной бомбардировкой. Наиболее распространенным геттером является барий с примесью других веществ. В процессе производства бариевую таблетку, запрессованную в пластинку небольших размеров, помещают на одном из держателей электродов. После откачки воздуха и отпайки лампы таблетка распыляется токами высокой частоты. Барий, связывая остаточный газ, осаждается в виде окислов и чистого бария на стенках колбы и окрашивает ее в серовато-зеркальный цвет. При работе лампы свободный барий связывает выделяющиеся из электродов и баллона газы и, таким образом, поддерживает постоянство давления в лампе. ВАКУУМНЫЕ ДИОДЫ
Потенциальные диаграммы. Для изучения потенциальных диаграмм удобно рассмотреть диод с плоскопараллельными электродами значительных размеров. В таком диоде будут получаться наиболее простые одномерные потенциальные диаграммы. Если выбрать произвольное сечение а-а (рис. 1.17.), то распределение потенциала от катода к аноду, обусловленное В общем случае, если заданы потенциалы на электродах, то для определения потенциальной функции При нагретом катоде появятся электроны, которые в междуэлектродном пространстве создадут так называемое поле пространственного заряда. Суммарное поле будет результатом наложения на внешнее поле поля пространственного заряда. Последнее можно рассчитать, интегрируя уравнение Пуассона, которое для вакуума, когда потенциал зависит от одной координаты, имеет вид: При нахождении потенциалов поля пространственного заряда следует считать, что потенциалы анода и катода равны нулю. Найденное таким образом распределение потенциала от катода к аноду показано на рис. 1.18.6. По мере удаления от электродов действие положительных зарядов, наведенных электронами на их поверхностях, уменьшается, и потенциал пространства убывает. Асимметрия диаграммы объясняется неравномерным распределением объемной плотности заряда электронов. Объемная плотность заряда электронов больше у катода и отрицательное максимальное значение потенциала находится у его поверхности. Это объясняется тем, что плотность тока Результирующий потенциал в диоде получается сложением потенциалов внешнего поля и потенциалов поля пространственного заряда (рис. 1.18. в и г). При этом возможны два случая, определяющие разные режимы работы лампы по току. Если сложить потенциал внешнего поля (рис. 1.18.а) с потенциалом поля пространственного заряда (кривая 1 на рис. 1.18.6), то в результате получим диаграмму рис. 1.18.в, на которой нет отрицательных потенциалов, — поле на всем пространстве катод—анод положительное. Если же сложить потенциал внешнего поля с потенциалом пространственного заряда (кривая 2), то в силу большого электронного потока и большого отрицательного потенциала, который дает поле пространственного заряда, результирующая потенциальная диаграмма имеет на расстоянии Режимы работы диода по току. Диод может работать в двух режимах: пространственного заряда и насыщения. Распределение электронов, вылетевших из катода, по энергетическим уровням подчиняется закону Максвелла, согласно которому наибольшее количество электронов имеет малые значения энергии и чем больше энергия, тем меньше электронов имеют эту энергию. Если диод работает в режиме, которому соответствует потенциальная диаграмма рис. 1.18.г, то электроны с начальными скоростями В диоде, у которого во всем промежутке катод—анод поле ускоряющее, все электроны, вылетевшие из катода, с любыми значениями энергии попадут на анод. Таким образом, анодный ток будет равен полному току эмиссии Электронные лампы работают как в режиме пространственного заряда, так и в режиме насыщения. Статические вольтамперные характеристики диода.Статической характеристикой диода называется зависимость между действующими в диоде токами и напряжениями, соответствующими статическому режиму. Статическая характеристика может выражаться аналитически или графически. Различают индивидуальные и усредненные статические характеристики. Индивидуальная статическая характеристика соответствует, режиму работы одного индивидуального прибора, а усредненная — среднему значению большого числа индивидуальных характеристик. Отклонение точек индивидуальных характеристик от усредненных не должно превышать 10 – 20%. Анодный ток в диоде однозначно определяется анодным напряжением и напряжением накала
Если определяется не одна, а несколько характеристик при различных постоянных значениях Эмиссионная характеристика диода отражает зависимость анодного тока диода от напряжения накала при постоянном анодном напряжении. Семейство эмиссионных характеристик диода с вольфрамовым катодом Семейство эмиссионных характеристик в рассматриваемом случае состоит из трех характеристик с постоянными значениями анодного напряжения
Режим насыщения наблюдается на восходящем участке характеристики до ее перегиба. Далее режим насыщения переходит в режим пространственного заряда. При Дальнейшее увеличение напряжения накала до значения Как правило, лампы работают при постоянном номинальном значении напряжения накала. Поэтому эмиссионные характеристики требуются лишь в тех случаях, когда по каким-либо причинам нужно регулировать напряжение накала или выбирать режим по накалу, отличный от номинального. Анодная характеристика диода отражает зависимость анодного тока от анодного напряжения при постоянном напряжении накала. Семейство экспериментальных статических анодных характеристик диода для вольфрамового катода Рассмотрим для примера характеристику при До точки, где характеристика ответвляется, диод работает в режиме пространственного заряда, после этой точки — в режиме насыщения. При
У оксидного катода, имеющего полупроводниковую структуру, в режиме насыщения пологий участок характеристики не наблюдается. Это объясняется тем, что оксидный катод благодаря эффекту Шоттки обладает способностью значительно увеличивать эмиссионный ток. Вольфрамовый катод имеет малое приращение эмиссии, поэтому характеристика лампы в режиме насыщения пологая. Вид анодной характеристики для металлопленочных катодов является промежуточным. Как правило, диод работает при номинальном напряжении накала, поэтому справочники содержат усредненную характеристику, соответствующую номинальному напряжению накала (рис. 1.22). Снятие и использование характеристик допускается до значения тока Аппроксимация анодных характеристик. Для анализа работы диода в электронном устройстве часто требуется приближенное аналитическое выражение его анодной характеристики. Степень приближения зависит от характера поставленной задачи и той точности, с которой она должна быть решена. Иногда требуется приближенное выражение не для всей характеристики, а только для отдельных ее участков. В этом случае задача аппроксимации упрощается.
где Восходящий участок анодной характеристики (рис. 1.24.а) чаще всего аппроксимируют степенным полиномом: Иногда уравнение анодного тока диода записывается в виде Это уравнение называется «законом степени трех вторых». Здесь Закон степени трех вторых справедлив для участка анодной характеристики, соответствующей режиму пространственного заряда. Это выражение существенно отклоняется от реальной характеристики и на практике применяется редко. Однако оно не потеряло полностью своего значения и удобно с методической точки зрения для качественной оценки процессов, протекающих также и в электронных лампах с сетками. Статические параметры диода.Любой электронный прибор имеет большое число электрических, тепловых, механических и других эксплуатационных параметров. Среди этих параметров важное место занимают статические характеристики диода. Основной из этих характеристик является анодная Крутизна характеристики показывает крутизну кривой анодного тока. Чем больше крутизна, тем больше приращение анодного тока при изменении анодного напряжения и тем лучше свойства диода. Практически крутизну характеристики с некоторым приближением можно определить как отношение конечных приращений анодного тока и анодного напряжения (рис. 1.25):
Чем меньше приращение этих величин, тем ближе значение крутизны к истинному, определяемому производной в точке А. Крутизна имеет размерность проводимости. Однако измерение крутизны в амперах на вольт дает слишком малые значения. Обычно крутизну принято выражать в тысячу раз большей величиной: числом миллиампер на один вольт. Таким образом, крутизна показывает приращение анодного тока в диоде, выраженное в миллиамперах, на один вольт приращения анодного напряжения. Обычно в маломощных диодах S = 0,1 Внутреннее сопротивление диода для переменного тока Физический смысл внутреннего сопротивления диода переменному току заключается в том, что если в цепь анода включить источник постоянного напряжения и наложить на это напряжение еще и переменное напряжение, меняющееся по синусоидальному закону, с малой амплитудой соответствующее этому участку, велико. В точке А кривой внутреннее сопротивление диода имеет меньшую величину. В этой точке приращение тока |