Практическая часть. Образец Площадь, мм*мм Предел измерений Диод Шоттки 0,5 1000 пФ
| Образец | Площадь, мм*мм | Предел измерений |
| Диод Шоттки | 0,5 | 1000 пФ |
| U, мВ | C, пФ | G, мкСм | Tok, мкА |
| 184,5 | 462,2 | 239,9 | |
| 18,83 | 308,1 | 20,96 | |
| -628,3 | 210,4 | 5,529 | |
| -1282 | 177,8 | 3,789 | |
| -1934 | 5,779 | ||
| -2580 | 146,5 | 3,467 | |
| -3238 | 137,4 | 2,352 | |
| -3894 | 130,1 | 2,226 | |
| -4549 | 124,1 | 0,565 | |
| -5203 | 119,1 | 0,4301 | |
| -5863 | 114,7 | 0,3604 |
| Образец | Площадь, мм*мм | Предел измерений |
| Диод Шоттки | 0,5 | 10 мкА |
| U, мВ | Tok, мкА |
| 183,2 | 5,051 |
| 38,43 | 0,02958 |
| -612,5 | -0,01919 |
| -1264 | -0,01379 |
| -1917 | -0,01478 |
| -2567 | -0,01823 |
| -3221 | -0,01774 |
| -3878 | -0,01528 |
| -4523 | -0,02952 |
| -5186 | -0,01921 |
| -5834 | -0,0305 |
Вывод: в данной лабораторной работе были произведены исследования электрофизических параметров полупроводников и полупроводниковых структур методом вольт-фарадных характеристик, изучены преобразования измерительных и электрических моделей. По снятым нами характеристикам со стенда, нами построены графики зависимостей 
и 
, и 
. В расчетной части были найдены значения таких величин, как тангенс угла наклона, концентрация примеси в полупроводнике, контактная разность потенциалов, а также толщина объемного заряда