Электроника

 

Задание 1. Определить:

1) контактную разность потенциалов _к

2) ширину р-п перехода со стороны п- и р- областей d_n и d_р, а также полную ширину перехода d = d_n + d_р,

3) максимальную величину напряженности контактного поля Е_к.
Известны проводимости в n- и р- областях _n=8Ом^-1см^-1 и
_р=2,4Ом^-1см^-1, а также подвижности электронов и дырок _n=
= 500 см²/В^.с; _р=300 см²/В^.с. Как изменится высота потенциального
барьера , если к р-п переходу приложить внешнее напряжение:
a) U₁ = +0,5 В? б) U₂ = -5 В?

Собственная концентрация примесей в кремнии n_i=1,4 10¹⁰ см^-3, = 12; температура Т = 300 К.

Задание 2. Определить:

1) контактную разность потенциалов _к р-п перехода кремниевого диода,

2) ширину р-п перехода со стороны п- и р- областей d_n и d_р , а также полную ширину перехода d = d_n + d_р,

3) максимальную величину напряженности контактного поля Е_к.
Известны проводимости в n- и р- областях : _n=3,2Ом^-1см^-1 и _р=4,8Ом^-1см^-1 ; а также подвижности электронов и дырок _n=800 см²/В^.с; _р=250 см²/В^.с.

Как изменится высо­та потенциального барьера ip, если к р-n переходу приложить внешнее напряжение: a) U₁ = +0,3 В? б) U₂ = -2 В? Собственная концентрация примесей в кремнии n_i=1,4 10¹⁰ см^-3, = 12; температура Т = 300 К.

Задание 3. Определить:

1) контактную разность потенциалов _к р-п перехода кремниевого диода,

2) ширину р-п перехода со стороны п- и р- областей d_n и d_р , а также полную ширину перехода d = d_n + d_р,

3) максимальную величину напряженности контактного поля Е_к.
Известны проводимости в n- и р- областях : _n=3,2Ом^-1см^-1 и _р=0,64Ом^-1см^-1 ; а также подвижности электронов и дырок _n=800 см²/В^.с; _р=400 см²/В^.с.

Как изменится высо­та потенциального барьера ip, если к р-n переходу приложить внешнее напряжение: a) U₁ = +0,4 В? б) U₂ = -4 В? Собственная концентрация примесей в кремнии n_i=1,4 10¹⁰ см^-3, = 12; температура Т = 300 К.

Задание 4. Определить:

1) контактную разность потенциалов _к р-п перехода кремниевого диода,

2) ширину р-п перехода со стороны п- и р- областей d_n и d_р , а также полную ширину перехода d = d_n + d_р,

3) максимальную величину напряженности контактного поля Е_к.
Известны проводимости в n- и р- областях : _n=1,6Ом^-1см^-1 и _р=2,4Ом^-1см^-1 ; а также подвижности электронов и дырок _n=1000 см²/В^.с; _р=300 см²/В^.с.

Как изменится высо­та потенциального барьера ip, если к р-n переходу приложить внешнее напряжение: a) U₁ = +0,1 В? б) U₂ = -1,5 В? Собственная концентрация примесей в кремнии n_i=1,4 10¹⁰ см^-3, = 12; температура Т = 300 К.

Задание 5. Определить:

3) контактную разность потенциалов _к

4) ширину р-п перехода со стороны п- и р- областей d_n и d_р, а также полную ширину перехода d = d_n + d_р,

3) максимальную величину напряженности контактного поля Е_к.
Известны проводимости в n- и р- областях _n=8Ом^-1см^-1 и
_р=2,4Ом^-1см^-1, а также подвижности электронов и дырок _n=
= 500 см²/В^.с; _р=300 см²/В^.с. Как изменится высота потенциального
барьера , если к р-п переходу приложить внешнее напряжение:
a) U₁ = +0,5 В? б) U₂ = -5 В?

Собственная концентрация примесей в кремнии n_i=1,4 10¹⁰ см^-3, = 12; температура Т = 300 К.

 

 

Задание 6. Определить:

3) контактную разность потенциалов _к р-п перехода кремниевого диода,

4) ширину р-п перехода со стороны п- и р- областей d_n и d_р , а также полную ширину перехода d = d_n + d_р,

3) максимальную величину напряженности контактного поля Е_к.
Известны проводимости в n- и р- областях : _n=3,2Ом^-1см^-1 и _р=4,8Ом^-1см^-1 ; а также подвижности электронов и дырок _n=800 см²/В^.с; _р=250 см²/В^.с.

Как изменится высо­та потенциального барьера ip, если к р-n переходу приложить внешнее напряжение: a) U₁ = +0,3 В? б) U₂ = -2 В? Собственная концентрация примесей в кремнии n_i=1,4 10¹⁰ см^-3, = 12; температура Т = 300 К.

Задание 7. Определить:

1) контактную разность потенциалов _к р-п перехода кремниевого диода,

2) ширину р-п перехода со стороны п- и р- областей d_n и d_р , а также полную ширину перехода d = d_n + d_р,

3) максимальную величину напряженности контактного поля Е_к.
Известны проводимости в n- и р- областях : _n=3,2Ом^-1см^-1 и _р=0,64Ом^-1см^-1 ; а также подвижности электронов и дырок _n=800 см²/В^.с; _р=400 см²/В^.с.

Как изменится высо­та потенциального барьера ip, если к р-n переходу приложить внешнее напряжение: a) U₁ = +0,4 В? б) U₂ = -4 В? Собственная концентрация примесей в кремнии n_i=1,4 10¹⁰ см^-3, = 12; температура Т = 300 К.

Задание 8. Определить:

1) контактную разность потенциалов _к р-п перехода кремниевого диода,

2) ширину р-п перехода со стороны п- и р- областей d_n и d_р , а также полную ширину перехода d = d_n + d_р,

3) максимальную величину напряженности контактного поля Е_к.
Известны проводимости в n- и р- областях : _n=1,6Ом^-1см^-1 и _р=2,4Ом^-1см^-1 ; а также подвижности электронов и дырок _n=1000 см²/В^.с; _р=300 см²/В^.с.

Как изменится высо­та потенциального барьера ip, если к р-n переходу приложить внешнее напряжение: a) U₁ = +0,1 В? б) U₂ = -1,5 В? Собственная концентрация примесей в кремнии n_i=1,4 10¹⁰ см^-3, = 12; температура Т = 300 К.

Задание 9. Определить:

1) контактную разность потенциалов _к р-п перехода кремниевого диода,

2) ширину р-п перехода со стороны п- и р- областей d_n и d_р , а также полную ширину перехода d = d_n + d_р,

3) максимальную величину напряженности контактного поля Е_к.
Известны проводимости в n- и р- областях : _n=3,2Ом^-1см^-1 и _р=0,64Ом^-1см^-1 ; а также подвижности электронов и дырок _n=800 см²/В^.с; _р=400 см²/В^.с.

Как изменится высо­та потенциального барьера ip, если к р-n переходу приложить внешнее напряжение: a) U₁ = +0,4 В? б) U₂ = -4 В? Собственная концентрация примесей в кремнии n_i=1,4 10¹⁰ см^-3, = 12; температура Т = 300 К.