Дата выполнения________________. Подпись преподавателя__________
Дата защиты____________________
Оценка________________________
Подпись преподавателя__________
Самостоятельная работа 3
Расчет теоретической пропускной способности подсистемы памяти
1.Цели:
1.1. Построить логическую структуру подсистемы памяти ПК.
1.2. Рассчитать пропускную способность ЦП/чипсета/ОЗУ.
1.3. Определение пропускной способности многоканальной системы передачи данных.
1.4. Подготовиться к выполнению лабораторной работы 3.
Порядок выполнения.
2.1. Из предложенного графа выберите свой вариант согласно методике описанной во введении.
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | 0 – шина процессора FSB DDR 100 мГц 1 – шина процессора FSB DDR 133 мГц 2 – шина процессора FSB DDR 200 мГц 0 – шина FSB чипсета DDR 100 мГц 3 – шина FSB чипсета DDR 133 мГц 6 – шина FSB чипсета DDR 200 мГц 0– контроллер памяти DDR 100 мГц 9 – контроллер памяти DDR 133 мГц 18 – контроллер памяти DDR 200 мГц 0 – память DDR 100 мГц 27 – память DDR 133 мГц |
Рисунок 1 Граф вариативности первого задания.
2.2. На основании варианта задания:
- сделайте эскиз логической структуры подсистемы памяти
- рассчитайте и отразите на рисунке быстродействие всех каналов передачи данных;
- пропускную способность подсистемы памяти ПК вашего варианта составляет :
2.3. Для подготовки к лабораторной работе ответьте на тестовые вопросы для подготовки и защиты п.п.4 лабораторной работы 2.
2.4. Отметьте правильные ответы на 5 контрольных вопросов для подготовки и защиты п.п.4 лабораторной работы 3. С правилом выбора номеров вопросов ознакомьтесь во введении.
Дата выполнения________________
Дата защиты____________________
Оценка________________________
Подпись преподавателя__________
Лабораторная работа 3
Тестирование подсистемы памяти ПК
1.Цели:
1.1. Изучение характеристик подсистемы памяти ПК.
1.2. Сравнение практических и теоретических характеристик подсистемы памяти ПК.
1.3. Освоение тестирующих программ Everest и RightMark Memory Analyzer.
Оборудование, аппаратура, материалы, инструменты, документация.
Таблица 1.Оборудование
Оборудование: | Наименование, производитель |
1.ПК в составе: | |
Процессор | |
Материнская плата | |
Чипсет | |
Память | |
Видеокарта | |
Винчестер | |
Оптический привод |
Таблица 2.Программное обеспечение
Программное обеспечение | Наименование, версия, производитель |
1.Операционная система | |
2. Everest | |
3. RightMark Memory Analyzer |
Порядок выполнения.
3.1. Включите ПК.
3.2. Установите программу Everest.
3.3. Запишите информация о программе в таблицу 2.
3.4. С помощью информационно-диагностической программы Everest произведите сбор информации о ПК и заполните таблицу 1.
3.5. Выполните утилиту Lavalys Everest Cache&Memory Benchmark.Запишите результат в таблицу 3.
Таблица 3
3.6. Установить программу RightMark Memory Analyzer.
3.7. Запишите информация о программе в таблицу 2.
Таблица 4
3.8. Заполните таблицу 4.
3.9. Проведите тестирование реальной пропускной способности памяти (ПСП) (Memory Bandwidth)
3.10.Зарисуйте результат тестирования (из закладки Results)
Рисунок 1 Результат тестирования реальной пропускной способности памяти (ПСП) (Memory Bandwidth)
3.11. Проведите тестирование латентности/ассоциативности L1/L2 кэша данных (D-Cache Latency)
3.12.Зарисуйте результат тестирования (из закладки Results)
Рисунок 2 Результата тестирования латентности/ассоциативности L1/L2 кэша данных (D-Cache Latency)
3.13. На основании проведенных тестов:
Нарисуйте логическую схему подсистемы памяти CPU/Chipset/RAM. На основании схемы и данных программы Everest рассчитайте теоретическую пропускную способность подсистемы памяти ПК.
3.10.Выводы.
Подсистема памяти ПК заслуживает оценку ___________, потому что:
3.14.1. Реальная пропускная способность отличается от теоретической______________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________
3.14.2. Слабым звеном является______________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________
3.14.3. Форма графика тестирования реальной пропускной способности памяти объясняется_______________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
3.14.4. При попадании в кэш L1 пропуская способность памяти при чтении__________;
записи__________________; копировании_____________________________________
3.14.5. При попадании в кэш L2 пропуская способность памяти при чтении__________;
записи__________________; копировании_____________________________________
3.14.6. При промахах кэш пропуская способность памяти при чтении__________;
записи__________________; копировании_____________________________________
3.14.7. Латентность подсистемы памяти, при попадании в кэш L1 при чтении________;
записи__________________; копировании_____________________________________
3.14.8. Латентность подсистемы памяти, при попадании в кэш L2 при чтении________;
записи__________________; копировании_____________________________________
3.14.9. Латентность подсистемы памяти, при промахах при чтении________;
записи__________________; копировании_____________________________________
3.14.10. Что бы оптимизировать программный код модуля необходимо______________
_________________________________________________________________________
Контрольные вопросы для подготовки и защиты.
Выберите правильные ответы из числа предложенных вариантов.
- Процессор выполняет программы, загруженные в
1) Flash 2) ROM 3) HDD 4) RAM 5) FDD 6)CD-ROM
Выберите один правильный ответ из числа предложенных вариантов.
- При включении питания процессор выполняет программы, загруженные в
1)Flash 2) ROM 3) HDD 4) RAM 5) FDD 6)CD-ROM
Выберите один правильный ответ из числа предложенных вариантов.
- Динамическая память - это память, информация в которой
1) Записывается по фронту 2) требует периодического обновления
2) записывается по срезу 4) записывается по высокому уровню
Выберите неправильный ответ из числа предложенных вариантов.
- Разные типы модулей памяти
1) Имеют разное количество контактов 2) имеют обратную совместимость
3) имеют разное расположение ключей 4) имеют разное напряжение питания
Выберите неправильный ответ из числа предложенных вариантов.
- Основные характеристики модуля памяти
1) Объем 2) разрядность 3) частота 4) охлаждение 5) питание
Выберите правильный ответ из числа предложенных вариантов.
- Объем микросхемы памяти глубиной 8Мбит и разрядность 4
1) 8Мбайт 2) 4Мбит 3) 4Мбайт 4) 32Мбайт 5) 8Мбит
Выберите правильный ответ из числа предложенных вариантов.
- Ширина шины данных DDR2
1) 32 бит 2) 64бит 3) 128бит 4) 4Байт
Выберите правильный ответ из числа предложенных вариантов.
- Возможна ли совместная работа памяти на 100 и 133 Mhz на МП с поддержкой 66 Mhz
1) Нет 2) Да, на частоте 100 Mhz 3) Да, на частоте 66 Mhz 4) Да, на частоте 133 Mhz
Выберите правильный ответ из числа предложенных вариантов.
- Какие установки необходимо изменить в BIOS Setup, чтобы заработала память?
1). Тайминги 2). Ничего 3). Напряжение питания 4). Установить двухканальный режим