Измененная редакция, Изм. № 2, 3)
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
______
* Таблицы 2, 3 (Исключены, Изм. № 1).
Таблица 4
| Наименование | Обозначение |
| 1. Эффект туннельный | |
| а) прямой | 
|
| б) обращенный | 
|
| 2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний | 
|
| б) двухсторонний 3 - 8. (Исключены, Изм. № 2). | 
|
| 9. Эффект Шоттки | 
|
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
| Наименование | Обозначение |
| Диод | |
| Общее обозначение | 
|
| 2. Диод туннельный | 
|
| 3. Диод обращенный | 
|
| 4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) | |
| а) односторонний | 
|
| б) двухсторонний | 
|
| 5. Диод теплоэлектрический | 
|
| 6. Варикап (диод емкостный) | 
|
| 7. Диод двунаправленный | 
|
| 8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами | 
|
| 8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами | 
|
| 9. Диод Шотки | 
|
| 10. Диод светоизлучающий | 
|
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
| Наименование Тиристор | Обозначение |
| 1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении | 
|
| 2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении | 
|
| 3. Тиристор диодный симметричный | 
|
| 4. Тиристор триодный. Общее обозначение | 
|
| 5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду | 
|
| по катоду | 
|
| 6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение | 
|
| запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду | 
|
| запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду | 
|
| 7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: | |
| общее обозначение | 
|
| с управлением по аноду | 
|
| с управлением по катоду | 
|
| 8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) - триак | 
|
| 9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении | 
|
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
| Наименование | Обозначение |
| Транзистор а) типа PNP | 
|
| б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана | 
|
| 2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом | 
|
| 3. Транзистор лавинный типа NPN | 
|
| 4. Транзистор однопереходный с N-базой | 
|
| 5. Транзистор однопереходный с Р-базой | 
|
| 6. Транзистор двухбазовый типа NPN | 
|
| 7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области | 
|
| 8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области | 
|
| 9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN | 
|
Примечание. При выполнении схем допускается:
а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
б) изображать корпус транзистора.
|
Таблица 8
| Наименование | Обозначение |
| 1. Транзистор полевой с каналом типа N | 
|
| 2. Транзистор полевой с каналом типа Р | 
|
| 3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: | |
| а) обогащенного типа с Р-каналом | 
|
| б) обогащенного типа с N-каналом | 
|
| в) обедненного типа с Р-каналом | 
|
| г) обедненного типа с N-каналом | 
|
| 4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки | 
|
| 5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом | 
|
| 6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки | 
|
| 7. Транзистор полевой с затвором Шоттки | 
|
| 8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки | 
|
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
| Наименование | Обозначение |
| Фоторезистор: а) общее обозначение | 
|
| б) дифференциальный | 
|
| 2. Фотодиод | 
|
| З. Фототиристор | 
|
| 4. Фототранзистор: | |
| а) типа PNP | 
|
| б) типа NPN | 
|
| 5. Фотоэлемент | 
|
| 6. Фотобатарея | 
|
11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл. 10
Таблица 10
| Наименование Оптрон | Обозначение |
| 1. Оптрон диодный | 
|
| 2. Оптрон тиристорный | 
|
| 3. Оптрон резисторный | 
|
| 4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: | |
| а) совмещенно | 
|
| б) разнесенно | 
|
| 5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы | 
|
| б) без вывода от базы | 
|
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения поГОСТ 2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
| Наименование | Обозначение |
| 1. Датчик Холла | 
|
| Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника | |
| 2. Резистор магниточувствительный | 
|
| 3. Магнитный разветвитель | 
|
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
| Наименование | Обозначение |
| 1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: | 
|
| а) развернутое изображение | |
| б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) Примечание. К выводам 1 - 2 подключается напряжение переменного тока; выводы3 - 4 - выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. | 
|
| Пример применения условного графического обозначения на схеме | 
|
| 2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема | 
|
| 3. Диодная матрица (фрагмент) | 
|
| Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов | 
|
14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
| Наименование | Обозначение | Отпечатанное обозначение |
| 1. Диод | 
| 
|
| 2. Транзистор типа PNР | 
| 
|
| 3. Транзистор типа NPN | 
| 
|
| 4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области | 
| 
|
| 5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN | 
| 
|
Примечание к пп. 2 - 5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» - вывод эмиттера