Экспериментальное определение параметров электрической цепи
Экспериментальное определение параметров электрической цепи.
1.1 Электрическая схема (рисунок 1).
Рисунок 1 – схема исследования характеристик стабилитрона
1.2 Опытные данные.
Таблица 1 – обратная ветвь ВАХ стабилитрона
| UОБР, В | 0.4 | 0.8 | 1.2 | 1.7 | 2.0 | 2.5 | 3.0 | 3.4 | |
| IОБР, мА | 0.01 | 0.05 | 0.31 | 0.71 |
Таблица 2 – прямая ветвь ВАХ стабилитрона
| UПР, В | 0.62 | 0.65 | 0.66 | 0.67 | 0.68 | 0.68 | 0.69 | 0.69 | |
| IПР, мА |
Обработка опытных данных.
2.1 По данным измерений строим прямую и обратную ветви ВАХ стабилитрона (рисунок 2).
Рисунок 2 – прямая и обратная ветви ВАХ стабилитрона
Вывод.
В ходе данной лабораторной работы мы изучили принцип действия электронно-дырочного перехода, исследовали ВАХ стабилитрона.
Лабораторная работа №2
Исследование параметров, характеристик и схем включения биполярного транзистора
Цель работы: изучение параметров, характеристик и режимов работы биполярного транзистора.
Экспериментальное определение параметров электрической цепи.
1.1 Электрические схемы (рисунки 1 и 2).
| Рисунок 1 – схема исследования характеристик биполярного транзистора типа n-p-n | Рисунок 2 – схема исследования характеристик биполярного транзистора типа p-n-p |
1.2 Опытные данные.
Таблица 1 – Входная характеристика биполярного транзистора
| UБЭ, В | 0.5 | 0.55 | 0.6 | 0.65 | 0.67 | 0.73 | 0.76 | 0.79 | 0.87 |
| IБ, мА | 0.02 | 0.04 | 0.2 | 0.35 | 0.46 | 0.60 | 2.0 |
Таблица 2 – Выходные характеристики биполярного транзистора
| IБ=0 мА | IБ=1 мА | IБ=2 мА | |||
| UКЭ, В | IК, мА | UКЭ, В | IК, мА | UКЭ, В | IК, мА |
| 0.01 | 0.02 | 0.02 | |||
| 0.94 | 0.06 | 0.05 | |||
| 0.05 | 0.1 | 0.07 | |||
| 0.07 | 0.14 | 0.10 | |||
| 0.09 | 0.18 | 0.12 | |||
| 0.11 | 0.22 | 0.15 | |||
| 0.14 | 0.26 | 0.18 | |||
| 0.3 | 0.22 |
Таблица 3 – Исследование схем включения биполярных транзисторов
| Схемы включения | С общим эмиттером | С общим коллектором | С общей базой |
| UВХ, В | 0.87 | 7.2 | |
| UВЫХ, В | 0.22 | ||
| IВХ, мА | 2.0 | ||
| IВЫХ, мА | |||
| h11 | 0.44 | 7.2 | |
| h12 | 3.95 | 0.65 | |
| h21 | |||
| h22 | 2.37 | 0.14 |
Обработка опытных данных.
2.1 По данным измерений (Таблица 1) строим входную ВАХ транзистора (рисунок 3).
Рисунок 3 – Входная ВАХ транзистора
2.2 По данным измерений (Таблица 2) строим выходные ВАХ транзистора (рисунок 4).
Рисунок 4 – Выходные ВАХ транзистора
2.3 Вывод: Из таблицы видно, что в усилительных каскадах напряжения целесообразно применять схему включения с общим эмиттером, в усилительных каскадах тока и мощности - с общим коллектором.
Вывод.
В ходе данной лабораторной работы мы изучили параметры, характеристики и режимы работы биполярного транзистора.
Лабораторная работа №3
Исследование параметров, характеристик и схем включения полевого транзистора
Цель работы: изучение параметров, характеристик и режимов работы полевого транзистора.
Экспериментальное определение параметров электрической цепи.
1.1 Электрические схемы (рисунки 1 и 2).
| Рисунок 1 – схема исследования характеристик полевого транзистора с n-каналом | Рисунок 2 – схема исследования характеристик полевого транзистора с индуцированным каналом |
1.2 Опытные данные.
Таблица 1 – Входная характеристика полевого транзистора
| UЗИ, В | 1.3 | 2.6 | 3.9 | 5.5 | 6.9 | 8.2 | 9.5 | ||
| IЗ, мА | 0.01 | 0.01 | 0.04 | 0.05 | 0.06 | 0.08 | 0.09 |
Таблица 2 – Выходные характеристики полевого транзистора
| UЗИ=0 В | UЗИ=5.5 В | UЗИ=11 В | |||
| UСИ, В | IС, мА | UСИ, В | IС, мА | UСИ, В | IС, мА |
| 1.3 | |||||
| 2.6 | 0.01 | ||||
| 3.9 | 0.05 | 0.02 | 0.02 | ||
| 5.5 | 0.08 | 0.02 | 0.02 | ||
| 6.9 | 0.09 | 0.03 | 0.03 | ||
| 8.2 | 0.11 | 0.04 | 0.04 | ||
| 9.5 | 0.11 | 0.05 | 0.05 | ||
| 0.05 | 0.05 |
Таблица 3 – Исследование схем включения полевых транзисторов
| Схемы включения | С общим эмиттером | С общим коллектором | С общей базой |
| UВХ, В | 5.3 | 5.3 | |
| UВЫХ, В | 1.1 | 1.1 | |
| IВХ, мА | 0.04 | 0.04 | |
| IВЫХ, мА | 0.99 | ||
| KU | ∞ | 132.5 | 132.5 |
| S | 0.09 | 4.82 | 4.82 |
| rВЫХ | ∞ | 24.75 | |
| RЗС | 0.19 | 0.189 |
Обработка опытных данных.
2.1 По данным измерений (Таблица 1) строим входную ВАХ транзистора (рисунок 3).
Рисунок 3 – Входная ВАХ транзистора
2.2 По данным измерений (Таблица 2) строим выходные ВАХ транзистора (рисунок 4).
Рисунок 4 – Выходные ВАХ транзистора
Вывод.
В ходе данной лабораторной работы мы изучили параметры, характеристики и режимы работы биполярного транзистора. Несоответствие выходных ВАХ транзистора получилось вследствие неидеального оборудования.
Исследование параметров, характеристик и схем включения IGBT транзистора
Цель работы: изучение параметров, характеристик и режимов работы IGBT транзистора.