Статические характеристики МДП-транзистора с
Индуцированным каналом
На рис. 4.7 представлено семейство статических выходных (стоковых) характеристик 
при Uзи = const
.
При увеличении внешнего напряжения Uси и Uзи до значений больше порогового, в цепи сток-исток протекает электрический ток. От истока через канал к стоку должны двигаться электроны, поэтому плюс внешнего источника подключается к стоку.
При малых напряжениях Uси и Uзи ток стока изменяется прямо пропорционально напряжению (участок АБ). С увеличением напряжения Uси ширина канала уменьшается вследствие падения на нем напряжения. Уменьшение поперечного сечения канала при увеличении тока стока происходит около стока.
Из-за заметного сужения стокового участка канала характеристика отклоняется от прямой на участке БВ. При напряжении 
напряжение на затворе относительно стокового участка канала становится равным пороговому значению, что приводит к уменьшению ширины канала возле стока, повышению его сопротивления и ограничению тока стока 
. В транзисторе наступает режим насыщения и при дальнейшем увеличении напряжения Uси ток стока меняется незначительно.
При увеличении напряжения на затворе (по абсолютному значению) выходные статические характеристики смещаются в область больших токов стока. При больших напряжениях на стоке может произойти электрический пробой транзистора: пробой p–n перехода под стоком или пробой диэлектрика под затвором.
Выходные характеристики МДП-транзистора аналогичны характеристикам полевых транзисторов с управляющим p–n переходом. В крутой области характеристики (участок АБ на рис. 4.7) транзистор работает как электрически управляемое сопротивление, а пологая часть используется при построении усилительных каскадов.
При ориентировочных оценках тока стока в области насыщения можно использовать уравнение
, (4.4)
где 
.
На рис. 4.8 представлена статическая характеристика передачи: 
при Uси=const. Эта характеристика определяется для режима насыщения и описывается зависимостью (4.4).
Отсутствие тока стока при нулевом напряжении на затворе, а также одинаковая полярность напряжения на затворе и стоке у МДП-транзисторов с индуцированным каналом служит основой для построения высокоэкономичных импульсных схем.
При использовании подложки в качестве управляющего электрода целесообразно рассматривать выходные характеристики при различных напряжениях подложка-исток при Uпи=const (рис. 4.9).
Семейство сток-затворных характеристик при разных напряжениях Uпи на подложке относительно истока показаны на рис. 4.10. Из рис. 4.10 видно, что при изменении напряжения на подложке все точки характеристики смещаются параллельно оси абсцисс на DUпор. Пороговое напряжение Uзи пор существенно зависит от напряжения на подложке.