Схемы с температурной стабилизацией
На рис. 10.10,а представлена схема с коллекторной стабилизацией. Её отличие от схемы (рис. 10.8) состоит в том, что резистор Rб подключен к коллекторному выводу транзистора с напряжением Uкэо, а не к источнику питания Uип. В этом случае ток смещения Iбо определяется так
.
Физический смысл коллекторной температурной стабилизации заключается в следующем. При повышении температуры коллекторный ток увеличивается, а коллекторное напряжение Uкэо уменьшается. Это приводит к уменьшению потенциала базы, а следовательно, к уменьшению тока базы Iб и коллекторного тока Iко, который стремится к своему первоначальному значению. Таким образом, это приводит к существенному ослаблению влияния температуры на характеристики усилительного каскада.
Наиболее эффективной является схема с эмиттерной температурной стабилизацией (рис. 10.10,б). Повышение температуры увеличивает ток Iко, что приводит к увеличению эмиттерного тока 
. Увеличивается падение напряжения на Rэ, с указанной на рис. 10.10,б полярностью. При этом потенциал эмиттера увеличивается, а напряжение база–эмиттер Uбэо уменьшается. Абсолютное значение напряжения Uбэо в такой схеме определяется выражением
.
Это приводит к уменьшению напряжения на эмиттерном переходе, что вызывает уменьшение базового тока Iбо. В результате чего ток коллектора Iко так же уменьшается, стремясь возвратиться к своему первоначальному значению.
Введение резистора Rэ при отсутствии конденсатора Сэ изменяет работу усилительного каскада не только в режиме покоя, но и при наличии входного сигнала. Переменная составляющая эмиттерного тока создает на резисторе Rэ падение напряжения, так называемое напряжение обратной связи, которое уменьшает усиливаемое напряжение, подводимое к транзистору
.
Коэффициент усиления усилительного каскада будет уменьшаться. Для ослабления влияния отрицательной обратной связи по переменному току параллельно резистору Rэ включается конденсатор Сэ. Емкость конденсатора Сэ выбирают таким образом, чтобы в полосе пропускания усилителя его сопротивление было много меньше Rэ. При этом падение напряжения на параллельном соединении Rэ и Сэ от переменной составляющей тока эмиттера будет незначительным.
Таким образом режим покоя можно обеспечить следующим:
– задание требуемого тока базы с помощью резистора Rб с большим сопротивлением (рис. 10.8);
– задание потенциала базы с помощью делителя напряжения R1, R2 или получение Iбо за счет включения Rэ.