Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _КТ342В

Содержание

1. Цель работы……………………………………………………………………3

2. Задание на курсовую работу……………………………………..………....4

3.Построение нагрузочной прямой по постоянному току…………………6

4. Определение малосигнальных параметров транзистора……………..8

5. Расчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения….9 6. Граничные и предельные частоты биполярного транзистора……….11

7. Определение сопротивления транзистора по переменному току…..12

8. Построение сквозной характеристики I_к(U_бэ) …………………………13

Определение динамических параметров усилительного каскада.....14

10. Определение коэффициента нелинейных искажений………………..15

Заключение……………………………………………………………………..17

Список литературы……………………………………………………………18

Приложение…………………………………………………………………….19

Цель курсовой работы

Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а также в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

2. Задание на курсовую работу

Исходные данные к курсовой работе:

Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _КТ342В

§ Напряжение источника питания_ _ _ _ Е_п= 6 В

§ Сопротивление в цепи коллектора_ _ _R_к= 0,12 кОм

§ Сопротивление нагрузки _ _ _ _ _ _ _ _ R_н= 0,18 кОм

Описание транзистора: кремниевый эпитаксиально-планарный n-p- n-транзистор предназначен для использования в ЭВМ «Электроника 70», в радиовещательных приемниках и в другой аппаратуре.

Корпус металлический с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,5 г.[2]

Электрические параметры. Классификационные параметры:

h_21э, |h_21э |,U_{КЭО гр}, I_КЭ_R_, U_БЭнас, I_КБО.

Наименование	Обозначение	Значения	Режим измерения
Мин	Макс	U_к,В	I_{к, мА}	I_б, _мА	f, МГц
Обратный ток коллектора, мкА:	I_КБО	5×10^-6	0,05
Обратный ток эмиттера, мкА	I_ЭБО
Обратный ток коллектор-эмиттер (R_Б≤10 кОм), мкА	I_КЭ_R
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_КЭнас	0,05	0,1
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_БЭнас	0,6	0,9
Граничное напряжение транзистора, В	U_{КЭО гр}
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	\|h_21э \|
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	h₂_1э
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск
Входное сопротивление в режиме малого сигнала, Ом	h₂_1б					10^-3
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс	τ_к

Максимально допустимые параметры:

Гарантируются при температуре окружающей среды Т_с= -60…+125 ⁰С.

I_к_max – постоянный ток коллектора, мА
I_{к ,и}_max – импульсный ток коллектора (t_и≤40 мкс, Q≥500), мА
U_эб_max – постоянное напряжение эмиттер-база, В
U_КЭ_R _max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб£10 кОм, I_к=30 мкА), В: · при Т_с= -60 ⁰С …+100 ⁰С · при Т_с= +125 ⁰С
U_кб_max – постоянное напряжение коллектор-база, В
P_к_max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Т_с= -60…+25 ⁰С), мВт
T_п_max – температура перехода,⁰С
Допустимая температура окружающей среды, ⁰С	-60…+125

При температуре выше 100 ⁰С напряжение уменьшается линейно.

При температуре более 25 ⁰С P_к_max [мВт]= (150- Т_с)/ R_T_,п-с, где R_T_,п-с=0,5 ⁰С/мВт.

Рис 1. Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией

Далее ⇒