Максимально допустимые параметры
Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=-60…+125 0С.
| Iк max – постоянный ток коллектора, А | |
| Iк ,и max – импульсный ток коллектора, А | |
| Uк бmax – постоянное напряжение коллектор-база, В | |
| Uкэ max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В | |
| Uэб max – постоянное напряжение эмиттер-база, В | |
| Pк max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт | |
| При Тс=-60…+90 0С | |
| При Тс=125 0С … | |
| Т п мах - Температура перехода, 0С | |
| Допустимая температура окружающей среды, 0С | -60…+125 |
При повышении температуры от 90 до 125 0С допустимая мощность уменьшается линейно.
Рис1. Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией
Построение нагрузочной прямой по постоянному току
На семействе выходных характеристик построим нагрузочную прямую по постоянному току. Для предотвращения сильных нелинейных искажений и тепловой неустойчивости транзистора, а также уменьшения нестабильности параметров усилительного каскада, выбираем схему с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией рабочей точки, в которой используется отрицательная обратная связь по постоянному току. Тогда нагрузочная прямая строится по уравнению:
, где 
Нагрузочную прямую строим по двум точкам:
1. При Iк=0, Uкэ = Eп = 15 В
 |
Номинальное значение Rэ=160 Oм.
2. При Uкэ=0, 
Рис.2 Семейство выходных характеристик транзистора КТ201А
Рабочая точка выбирается посередине участка насыщения в точке пересечения нагрузочной прямой с выходной характеристикой (рис.2).
Рис.3 Входные характеристики транзистора КТ201А
Параметры режима покоя:
Uкэ0 = 8 В, Iк0= 7 мА, Iб0= 0,1 мА, Uбэ0= 0,76 В.
Стабилизация тока осуществляется за счет последовательной отрицательной обратной связи, которая вводится с помощью резистора Rэ. Нежелательная обратная связь по переменному току может быть устранена путем шунтирования резистора Rэ конденсатором большой емкости.
Определим величины резисторов R1 и R2:
Номинал R1=22 кОм.
НоминалR2=3,9 кОм.
Определение малосигнальных параметров транзистора
1. Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора:
2. Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора:
3. Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора:
4. Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принят 
.
Для повышения точности расчетов приращения ∆Iк , ∆Iб, ∆Uбэ, ∆Uкэ берем симметрично относительно рабочей точки.