Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора

Введение

Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.

Расчет усилительного каскада

Исходные данные к курсовой работе

Тип транзистора	КТ208Г
Напряжение источника питания, E_п	24 В
Сопротивление цепи К, R_к	1,5 кОм
Сопротивление нагрузки, R_н	2 кОм

Характеристики используемого транзистора

Проектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ208Г. Транзистор типа КТ208Г - кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор, предназначенный для использования в импульсных, усилительных и других схемах.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,7 г.

Электрические параметры:

Наименование	Обоз-наче-ние	Значения	Режимы измерения
min	Ти-по-вое	max	U_к_,В	I_к, мА	I_Б, мА	f, кГц
Обратный ток коллектора, мкА	I_КБ0				U_{КБ мах}
Обратный ток эмиттера, мкА (при U_Э=U_{ЭБ МАХ})	I_ЭБ0
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер, В	U_{КЭ нас}			0.4
Напряжение насыщения база- эмиттер, В	U_{БЭ нас}			1.5
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ при Т_с= +125 ⁰С при Т_с= -60 ⁰С	h_21э						0,27 0,27 0,27
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ, Ом (при I_э=5мА)	h_11э						0,27
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., См (при Iэ=1 мА)	h_22э	0,15	0,3	0,55			0,27
Емкость коллекторного перехода, пФ	С_к
Емкость эмиттерного перехода, пФ ( при Uэ=0,5 В)	С_Э
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	f_гр

Максимально допустимые параметры:

Гарантируются при температуре окружающей среды Т_с=25...125 ⁰С

I_К_max - Постоянный ток коллектора, А.	0,3
I_{К и}_max - Импульсный ток коллектора, А (h_21Э≥ 6, U_{КЭ нас}≤0.7 B, I_Б≥0.1 A)	0,5
I_Б_max-Постоянный ток базы, А	0,1
U_КБ_max - Постоянное напряжение коллектор-база, В (при понижении Т_с от +15 до -60 значения U_{КБ мах}, U_КЭ_{R мах} уменьшаются до 10 В)
U_КЭ_R _max - Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб£10 кОм),В
U_ЭБ_max - Постоянное напряжение эмиттер-база, В
P_к_max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
Т_{п мах} - Температура перехода, ⁰С
Допустимая температура окружающей среды, ⁰С	-60…+125

При Т_с = +60° … +125°С мощность линейно уменьшается до 50 мВт.

Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора

Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером и с эмиттерной стабилизацией представлена на рисунке 1.

Рис 1. Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией

Далее ⇒