Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке. По семейству входных и выходных характеристик найдем H-параметры:

 

По семейству входных и выходных характеристик найдем H-параметры:

- входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора.

 

- коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора.

 

- выходная проводимость, измеряемая

при холостом ходе на выходе транзистора.

 

Для всех типов биполярных транзисторов H_12э=3*10^-4 – коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора.

Для повышения точности расчетов приращения I_к , I_б, U_бэ, U_кэ берем симметрично относительно рабочей точки.

 

 

 

 

Рассчет параметров элементов эквивалентной

Схемы замещения транзистора

Для биполярного транзистора задана схема Джиаколлето – физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора.

Рис4. Физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора.

· Барьерная ёмкость коллекторного перехода:

Найдем U_кб:

 

· Выходное сопротивление транзистора:

 

 

· Сопротивление коллекторного перехода:

 

 

· Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока:

 

· Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока:

 

 

· Распределение сопротивления базы:

 

 

Возьмем

 

· Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода:

 

 

 

· Собственная постоянная времени транзистора:

 

 

· Крутизна транзистора:

 

 

 

Граничные и предельные частоты биполярного транзистора

Граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ:

 

Предельная частота в схеме с ОЭ:

 

 

Предельная частота в схеме с ОБ:

 

 

Предельная частота транзистора по крутизне:

 

Максимальная частота генерации:

 

Определение сопротивления транзистора по переменному току

 

Сопротивление нагрузки по переменному току для биполярного транзистора рассчитывается по формуле:

 

Для построения нагрузочной прямой по переменному току воспользуемся двумя точками:

· при

· при

 

Нагрузочная прямая по переменному току приведена на рисунке 5:

Рис 5. Нагрузочная прямая по переменному току

 

 

Построение сквозной характеристики

 

Для построения сквозной характеристики воспользуемся нагрузочной прямой по переменному току и выходными характеристиками. По точкам пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками строим сквозную характеристику I_к(U_бэ).

 

Iб, мА		0,0125	0,025	0,0375	0,05
Iк, мА	0,2		2,1
Uбэ, В	0,3	0,4	0,46	0,52	0,58

 

Рис 6. Сквозная характеристика транзистора КТ301А