П 4. Логарифмический масштаб
Построение графиков и пользование ими становится затруднительными, если величины, откладываемые вдоль координатных осей, изменяются очень в больших пределах. В этом случае используется логарифмический масштаб, позволяющий значительно расширить пределы изменения функций наносимых на график, без увеличения размеров чертежа. Для этого вдоль координатных осей откладывается вместо значений функций десятичные логарифмы этих значений, а полученным точкам присваиваются названия откладываемых значений. В результате применения логарифмического масштаба по одной из координатных осей кривизна графиков уменьшается, а зависимости, близкие к показательной функции, приближаются к прямым линиям.
Практическое построение координатной сетки логарифмического масштаба (рис. 5) осуществляется следующим образом. Одну или обе координатные оси разбивают на равные отрезки, каждый из которых соответствует увеличению в 10 раз. После этого каждый отрезок делят на девять неравных частей, откладывая от левого (или нижнего) конца отрезка 0,3; 0,47; 0,6; 0,7; 0,78; 0,85; 0,9 и 0,95 его длины.
Полученным точкам деления присваивают названия десятых долей отрезка.
Если по одной оси координат принят логарифмический масштаб, а по другой – обычный (линейный), то такую координатную сетку называют полулогарифмической (рис. 6).
|
|
В качестве примера использования логарифмического масштаба см. графики зависимостей ρ(N), приведенные в прил. 5.
П 5. графики Зависимостей удельного сопротивления от концентрации примесей для Si и Ge при 300 К
П 6. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ВЫСОТЫ БАРЬЕРА ШОТТКИ φb, эВ ПРИ 300 К
П 7. графики зависимости разности работ выхода φms от уровня легирования кремниевой подложки для МДП-структур
с затворными электродами из Al, Au и поликремния n+ и p+-типа
П 8. Неперы и децибелы
В различных приложениях электроники часто приходится иметь дело с относительными величинами (коэффициент усиления или ослабления, превышение сигнала над помехой, уровни передачи, отсчитываемые от некоторого исходного уровня и т.д.). На практике оказалось удобным вместо отношений мощностей, напряжений и токов оперировать с логарифмами этих отношений.
Если используются натуральные логарифмы, то отношения напряжений и токов выражают в неперах по формулам
а отношение мощностей – по формуле
Эти числа называют относительными уровнями в неперах по напряжению ( 
), по току ( 
) и по мощности ( 
). Зная величины 
в начале цепи (исходные уровни) и относительные уровни в какой-либо точки цепи, легко определить для этой точки:
; 
и 
.
При использовании десятичных логарифмов отношения мощностей выражают в белах:
но чаще используют в 10 раз меньшую единицу, называемую децибелом (дб).
Для напряжения и тока при этом получается:
Для расчета напряжений, токов или мощностей в какой-либо точки цепи по известным их значениям в начале цепи (исходные уровни ) и известным относительным уровням в децибелах следует пользоваться формулами:
; 
; 
.
Непер и децибел следующим образом связаны друг с другом:
1 неп=8,686 дб;
1 дб=0,115 неп.
П 9. ТЕМЫ РЕФЕРАТОВ
1. Варизонные полупроводники и гетероструктуры.
2. Диагностика глубоких энергетических уровней в полупроводниковых структурах.
3. Емкостные методы контроля параметров полупроводниковых структур.
4. Квантовый эффект Холла в двумерном электронном газе.
5. Линейные дефекты в кремнии и их влияние на его электрофизические свойства.
6. Молекулярная электроника.
7. Наноэлектроника, наноэлектронные структуры и способы их формирования.
8. Применение квантово-размерных структур в приборах микро - и наноэлектроники.
9. Проблемы полупроводниковой элементной базы на основе спиновых взаимодействий.
10. Проблемы одноэлектроники. Применение одноэлектрон-ных приборов.
11. Размерное квантование и квантово-размерные структуры.
12. Светодиоды (физика, конструкции, технология, рабочие характеристики).
13. Свойства и перспектива применения углеродных нанотрубок в электронике.
14. Сенсоры температуры на основе полупроводниковых структур.
15. Сенсоры давления на основе полупроводниковых структур.
16. Сенсоры газов на основе полупроводниковых структур.
17. Сенсоры влажности на основе полупроводниковых структур.
18. Сенсоры электромагнитных излучений на основе полупроводниковых структур.
19. Сканирующая зондовая микроскопия материалов и структур наноэлектроники.
20. Солнечные элементы на однородных и неоднородных p-n-переходах.
21. Солнечные элементы на поверхностных и тонкопленочных полупроводниковых структурах.
22. Физические и технологические ограничения традиционного направления развития микроэлектроники.
23. Физические проблемы надежности интегральных микросхем.
24. Физические проблемы создания нанотранзистора.
25. Фотодетекторы (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы).
26. Фотоэлектрические явления в квантовых ямах.
27. Функциональные магнитоэлектрические устройства.
28. Функциональные устройства на основе приборов с зарядовой связью.
29. Функциональные устройства на основе объемного отрицательного сопротивления.
30. Функциональные устройства на оптронах.
31. Функциональные устройства на поверхностных акустических волнах.
32. Функциональные устройства на тонкопленочных многослойных структурах.
33. Функциональные элементы и устройства на основе явления сверхпроводимости.
34. Электронные свойства неупорядоченных систем.
35. Эффект Ааронова-Бома.