Типы транзисторов и система их обозначений
Встречаются транзисторы (биполярные), которые имеют старую, введенную до 1964 г. систему обозначений. По старой системе в обозначение транзистора входит буква П и цифровой номер. По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции. Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:
Низкочастотные(до 5 МГц):
· 1...100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;
· 101...201 — кремниевые до 0,25 Вт;
· 201...300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;
· 301...400 — кремниевые более 0,25 Вт.
·
Высокочастотные(свыше 5 МГц):
· 401...500 — германиевые до 0,25 Вт;
· 501...600 — кремниевые до 0,25 Вт;
· 601...700 — германиевые более 0,25 Вт;
· 701...800 — кремниевые более 0,25 Вт.
В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:
1 -й элементсистемы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия, И или 4 — индий.
2 -й элемент— буква Т (биполярный) или П (полевой).
3 -й элемент— цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощностии частотнымсвойствам.
Транзисторы малой мощности, Рmах < 0,3 Вт:
· 1 — маломощный низкочастотный, Гф< 3 МГц;
· 2 — маломощный среднечастотный, 3 < frp< 30 МГц;
· 3 — маломощный высокочастотный, 30 < fгр< 300 МГц.
Транзисторы средней мощности, 0,3 < Рmах <1,5 Вт:
· 4 — средней мощности низкочастотный;
· 5 — средней мощности среднечастотный;
· 6 — средней мощности высокочастотный.
Транзисторы большой мощности, Рmах >1,5 Вт:
· 7 — большой мощности низкочастотный;
· 8 — большой мощности среднечастотный;
· 9 — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный
(frp > 300 Гц).
4 -й элемент— цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.
5 -й элемент— одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы
Тиристоры
Тиристором называют полупроводниковый прибор, имеющий три или более p-n переходов, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.
В зависимости от числа выводов, могут быть изготовлены два типа тиристоров: диодные, называемые динисторами, и триодные, называемые тринисторами.
Симметричным тиристором, или симистором, называют тиристор, который переключается из закрытого состояния в открытое как в прямом, так и в обратном направлении.
Симметричные тиристоры разделяют на диодные и триодные.
Диодныйсимметричныйтиристор(диак) включается при достижении как в прямом, так и в обратном направлениях определенного значения напряжения между основными выводами, равного напряжению переключения.
Триодныйсимметричныйтиристор(триак) включается как в прямом, так и в обратном направлениях при подаче сигнала на его управляющий электрод.
Система условных обозначений многослойных переключающихся приборов.
Маркировка этих приборов соответствует маркировке диодов
Буквенно-цифровая система обозначения тиристоров такая же, как для диодов. Первый элемент - буква К (кремниевый). Второй элемент - буква Н
для динисторов (неуправляемый), У - для тринисторов и симисторов (управляемый). Третий элемент - трехзначное число, обозначающее назначение и порядковый номер разработки:
тиристоры малой мощности от 101 до 199; тиристоры средней мощности от 201 до 299; симисторы малой мощности от 501 до 599; симисторы средней мощности от 601 до 699.
Четвертый элемент - буква, обозначающая группу по параметрам. Например:
КН102Б - кремниевый динистор малой мощности, номер разработки 02, группа Б по параметрам (по справочнику для групп от А до И напряжение переключения от 20 до 150 В);
КУ201И - кремниевый тиристор средней мощности, номер разработки
01, группа И;
Интегральные микросхемы
Все выпускаемые интегральные микросхемы в соответствии с принятой системой условных обозначений по конструктивно- технологическому исполнению подразделяют на три группы: полупроводниковые, гибридные и прочие. К последней группе относят пленочные ИМС, которые в настоящее время выпускаются в ограниченном количестве, а также вакуумные и керамические ИМС. Этим группам в системе условных обозначений присвоены следующие цифры: 1, 5, 7 — ИМС полупроводниковые (7 — бескорпусные полупроводниковые ИМС); 2, 4, 6, 8 — ИМС гибридные; 3 — ИМС прочие.
По характеру выполняемых функций в радиоэлектронной аппаратуре ИМС подразделяют на подгруппы (например, генераторы, усилители, модуляторы, триггеры) и виды (например, преобразователи частоты, фазы,
напряжения). Классификация интегральных микросхем по функциональ- ному назначению приведена в табл. 3.