Графический анализ усилительного режима

Целью графического анализа является наглядное представление процессов в ре­жиме усиления электрических сигналов. На рис. 4.26, а показаны временные диа­граммы токов и напряжений в базовой цепи, а на рис. 4.26, б — в коллекторной. Режим работы по постоянному току определяется резисторами Rб и RK. Для этого в системе координат iK = f(uкэ) строят нагрузочную линию коллекторной цепи (рис. 26, б) аналогично тому, как это делалось при анализе выпрямительного ре­жима диода. Точки пересечения этой линии с выходными характеристиками оп­ределяют режим работы коллекторной цепи при конкретном значении тока базы, В качестве исходной рабочей точки (ИРТ) выбирают пересечение нагрузоч­ной линии с той выходной характеристикой, при которой выполняется условие Uкэ0= Еи.п / 2 (точка А'). Этой ИРТ соответствует ток базы iб = Iб0.

Чтобы обеспечить получение тока Iб0, в системе координат iб =f(и) строят на­грузочную линию цепи базы (рис. 26, а). Для этого на входной характеристи­ке выделяют точку А (она является исходной рабочей точкой базовой цепи, в этой точке iб = Iб0 и проводят прямую линию, проходящую через точки А и Еи.п, Наклон этой линии определяет значение сопротивления Rб После того как задан режим работы по постоянному току, строят графики временных зависимостей то­ков и напряжений, полагая входной сигнал синусоидальным.

Пусть внешняя нагрузка отсутствует, а на базу транзистора через разделительный конденсатор С6 поступает напряжение с амплитудой Um, изменяющее положе­ние рабочей точки. При положительной полуволне синусоидального напряжения рабочая точка по входной характеристике сдвигается вверх, максимуму напряжения соответствует точка В. При отрицательной полуволне рабочая точка сдвига­ется вниз, минимуму напряжения соответствует точка С. В результате ток базы изменяется с амплитудой Iбm. Изменение тока базы вызывает изменение положе­ния рабочей точки на выходных характеристиках. При положительной полувол­не входного напряжения она сдвигается вверх и занимает положение В', а при отрицательной полуволне сдвигается вниз и занимает положение С. При этом ток коллектора изменяется с амплитудой Iкm а напряжение — с амплитудой Uкэm, при­чем напряжение на коллекторе находится в противофазе с напряжением на базе.

При наличии внешней нагрузки, подключенной к коллектору через конденса­тор, нагрузочная линия изменяет свой наклон (см. пунктир на рис. 4.26, 6), так как сопротивление для переменного тока уменьшается, оно становится рав­ным Rнэ = Rн *Rк / (Rк + Rн). Подключение внешней нагрузки не изменяет режим ра­боты транзистора по постоянному току, поэтому нагрузочная линия при наличии внешней нагрузки проходит через ту же точку А', но пересекает выходные ха­рактеристики, соответствующие максимуму и минимуму тока базы, в точках В" и С". Нетрудно понять, что при этом амплитуда Uкэm уменьшается, а амплитуда Iкm незначительно возрастает. Одновременно с этим уменьшается площадь зашт­рихованных треугольников, определяющая выходную мощность переменного тока

Определив с помощью графических построений амплитуды входных и выход­ных сигналов, можно рассчитать основные параметры усилителя:

коэффициент усиления напряжения;

коэффициент усиления тока;

коэффициент усиления мощности;

входное сопротивление;

выходное сопротивление,

где Uвых.х.хвыходное напряжение холостого хода при Rн →∞, Iвых.к.з, — выход­ной ток короткого замыкания при Rк = 0;

коэффициент полезного действия,

где мощность, потребляемая от источника питания.

Из проведенного анализа следует, что усиление электрических сигналов проис­ходит за счет преобразования мощности источника постоянного тока в мощность переменного тока Рвых = Uкэm*Ikm /2, выделяемую в нагрузке. При этом КПД оказывается не очень высоким. В пределе Uкэm = Еи.п / 2, Iкm = Iко следова­тельно, ηпред = 0,25. Поэтому рассмотренный режим, называемый линейным (или режимом А), применяют в основном в маломощных усилителях, где потери мощ­ности, расходуемой на нагрев транзистора и резистора RK, невелики. В мощных усилителях применяют иные режимы работы транзистора и более сложные схе­мы, обеспечивающие получение более высокого КПД.