Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
(несимметричный переход)
- образование горловины канала
, где ρ – удельное сопротивление канала;
- длина канала;
- площадь поперечного сечения канала.
- ток в канале.
Если изменять S при 
, будет изменяться 
, но 
, а значит 
.
Если к кристаллу n-типа со стороны стока и истока приложить напряжение 
, а с помощью 
, приложенного к затвору, сместить p-n переходы в обратном направлении, то площадь S канала, а значит и Rкан будут зависеть от .
Площадь перехода увеличивается с повышением приложенного к нему обратного напряжения , а увеличение области, обеднённой носителями заряда, приводит к повышению электрического сопротивления канала (Rкан). В результате будет выполняться функция:
Исток – это электрод, от которого начинается движение основных носителей заряда.
Сток – электрод, к которому движутся основные носители заряда.
Затвор – электрод, управляющий площадью поперечного сечения канала и регулирующий ток в канале.
Напряжение между затвором и истоком, при котором ток стока близок к нулю, называется напряжением отсечки ( 
).
Ширина p-n перехода зависит также от тока, протекающего через канал.
Если 
, то IС, протекающий через канал, создаёт по длине последнего падение напряжения, которое оказывается запирающим для перехода затвор-канал.
Это приводит к уменьшению сечения и проводимости канала, причём ширина p-n перехода увеличивается по мере приближения к области стока. У края p-n перехода около истока действует напряжение , а у края – около стока – напряжение 
.
Выходные ВАХ.
При определённом значении IС наступает такое сужение канала (горловина) у стокового конца, что наступает режим насыщения (участок II), где с увеличением 
меняется незначительно. Напряжение, соответствующее началу этого участка называется напряжением насыщения (Uнас).
Uнас меняется взависимости от .
При значительном увеличении у стокового конца происходит пробой p-n перехода (область III).
В выходных характеристиках: ОА – крутая область, используется как омически управляемое сопротивление в зависимости от . Участок АВ – область насыщения – пологий участок – усилительный режим.
При работе в пологой области (II) ВАХ, при заданном ток стока определяется:
,
где 
- начальный ток стока, это ток при 
и 
.
Управляющее действие затвора оценивается крутизной характеристики: 
и интерпретируется стокозатворной характеристикой (характеристика передачи).
Усилительные свойства полевых транзисторов характеризуют коэффициентом усиления:
Дифференциальное внутреннее сопротивление определяется:
.
Поэтому: 
УГО полевых транзисторов с
управляющим p-n переходом:
Схемы включения транзисторов:
Полная эквивалентная схема полевого транзистора с управляющим
p-n переходом и каналом n-типа.
