Расчет по постоянному току
Сэ, Ср1, Ср2 – разрывы (для постоянного тока).
1) Есмещ = IбRб + Uбэ(Iб) + Iэ Rэ
нелинейная функция
2) Ik = Ik Rk + Ukэ(Ik) + IэRэ
3) Ik = bIб
4) Iэ = Iб + Ik Þ Iэ @ bIб (единицей пренебрегаем)
Есмещ. = Iб (Rб + bRэ) + Uбэ(Iб)
Ек = Iбb( Rk + Rэ) + Uкэ(Ik)
|
![](images/image-369-109.png)
![](images/image-371-58.jpg)
Подключение нагрузки приводит к ¯ усиления входного сигнала
При переменном тока все конденсаторы – закоротки
Расчет при RНАГРУЗКИ = ¥.
При toС Þ Iб Þ A®A’ Þ Iбэ, Iэ Þ IэRэ = φэ Þ ¯Uбэ = φб – φэ() Þ A’®A
Rэ приводит к температурной стабилизации и является отрицательной обратной связью по постоянному току. (т.к. φб – φэ)
Расчет каскада по переменному току.
Конденсаторы и источники напряжения – закоротки.
Схема замещения в h-параметрах:
;
Входная цепь.
Выходная цепь.
Усилительный каскад с общим коллектором.
![]() | |||
![]() | |||
О.Э.
Расчет по переменному току.
Полевые транзисторы.
Транзисторы
Биполярные Полевые
с управляющим p-n переходом металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)
металл-окись-полупроводник (МОЛ)
с индуцированием со встроенным каналом
Полевые транзисторы с управляющим переходом
|
![](images/image-427-40.jpg)
Ic = Ucn / Rканала
Rканала = r / S
|Uзn| Þ Dp-n Þ S¯ Þ Rкан Þ Ic ¯
Ucи (насыщения) – напряжение на стоке, при котором происходит перекрытие канала Þ
Þ Uзи – Ucи (насыщения) = U0 Þ ток через канал прекращается.
|
![](images/image-431-49.jpg)
![](images/image-433-49.jpg)
b[(Uз – U0)Uc – ½ Uc2]; Ucи< Uзи–U0 - для крутой плоскости
Ic =
1/2b(Uз – U0)2; Ucи> Uзu – U0 - для пологой плоскости
b = [мA / B2] - приведенная крутизна
Эквивалентная схема замещения
- n-канальный
- p-канальный
МДП-транзисторы (МОП)
Металл-диэлектрик-полупроводник
![]() | |||
![]() | |||
с индуцированным каналом со встроенным каналом
З и П представляют собой плоский конденсатор.
|
![](images/image-444-53.jpg)
![](images/image-445-56.jpg)
МДП-транзисторы со встроенным каналом.
|
![](images/image-447-53.jpg)
![](images/image-448-53.jpg)
![](images/image-449-54.jpg)
При Uзu Þ Sканала Þ ¯ Rканала Þ Ic
Uзu<0 Þ дырки пойдут к каналу Þ ¯ Sканала Þ R Þ Ic ¯
При каком-то U0 происходит полное перекрытие канала.
Полевые транзисторы – полупроводниковые приборы, управляемые напряжением, в отличие
от биполярных, которые управляются зарядом (током).
b[(Uз – U0)Uc – ½ Uc2] , Ucu<Uзu – U0 крутая область
½ b(Uз – U0)2 , Ucu>Uзu – U0 пологая область
Эквивалентная cхема
n-канальный p-канальный
![]() |
со встроенным каналом.
Усилительные каскады на полевых транзисторах.
Каскад переворачивает фазу
Схема для расчета каскада по постоянному току
увеличение напряжения и изменения фазы.
Ic = IcА +DIc (постоянная и переменная составляющие)
Ucи= UcиА +DUcи
IcА DIe
Ec Uвх~
UcА DUc