Диаграмма 1
Диаграмма 2
Диаграмма 3
Рис.2
В результате разности концентраций подвижных (диаграмма 2 рис.2) имеет место градиент концентрации носителей заряда каждого знака. Под действием градиента концентрации будет происходить диффузияосновных носителей заряда из области с высокой концентрацией в область с меньшей их концентрацией. Дырки переходят из области полупроводника p-типа в область полупроводника n-типа, оставляя в p-области отрицательные ионы акцепторов. В области полупроводника
n-типа дырки рекомбинируют с электронами, обнажая в процессе рекомбинации положительно заряженные ионы доноров.
Аналогично и электроны из области полупроводника n-типа переходят в область полупроводника p-типа, оставляя в полупроводнике
n-типа положительные ионы доноров. В области полупроводника p-типа при рекомбинации электронов с дырками дополнительно обнажаются отрицательные ионы акцепторов. Отрицательные ионы акцепторов и положительные ионы доноров находятся в узлах кристаллической решетки, поэтому не могут двигаться по кристаллу полупроводника.
Таким образом, вблизи контакта полупроводников с различным типом проводимости возникает двойной слой пространственного заряда: отрицательный в области полупроводника p-типа; положительный в области полупроводника n-типа (диаграмма 1 рис.2).
В области объемных зарядов мала концентрация подвижных носителей заряда, поэтому этот слой обладает повышенным сопротивлением и называется запорным слоем или p-n переходом.
Итак, электронно-дырочный или p-n переход - это тонкий слой полупроводника, возникающий на границе раздела двух полупроводников с разным типом проводимости, который обеднен подвижными носителями заряда и обладает высоким сопротивлением.
Диаграмма 4