ТТЛ елемент із складним інвертором.
У мікросхемах ТТЛ використовуються складні інвертори, які підвищують швидкодію і навантажувальні здатність елементів. Схема базового (типового) елемента ТТЛ із складним інвертором містить три основних каскади (рис. 2. 13, а):
1. Вхідний каскад, який реалізує операцію І (транзистор VT1, резистор R1). До усіх входів БЕТ демпферуючі (антидзвінні) діоди, які обмежують вплив імпульсів перешкод від’ємної полярності.
2. Фазоінверсний каскад (транзистор VT2, резистори RК і RЕ), що керує вихідними транзисторами за допомогою протифазних змін напруги на колекторі і емітері VT2.
3. Вихідний двоканальний підсилювач (транзистори VT3, VT4, діод зміщення VD3, резистор R0). Складний інвертор створюється спільною роботою фазоінверсного і вихідного каскадів.
При збігу високих рівнів напруг на входах логічного елемента БЕТ перемикається в інверсний режим і своїм колекторним струмом відкриває транзистор VT2. Частина емітерного струму транзистора VT2 проходить на базу транзистора VT4 і відкриває його. Після швидкого розряду паразитної ємності Сп через колектор насиченого транзистора VT4 на виході встановлюється низький рівень напруги. При цьому транзистор VT3 – закритий, оскільки напруга, що прикладена до послідовно включених переходів бази і діода VD3, недостатня для його відкривання.
При подачі на один із входів ЛЕ напруги низького рівня БЕТ перемикається в режим насичення, струм його колектора дорівнює нулю, внаслідок чого закриваються транзистори VT2 і VT4. При цьому відкритий транзистор VT3 працює в режимі емітерного повторювача: на його вхід надходить високий рівень напруги з колектора закритого транзистора VT2, а навантаженням слугує опір закритого транзистора VT4. Емітерний повторювач передає на вихід високу напругу
UOH=UСС-2U*,
де 2U* - падіння напруги на двох послідовно ввімкнених переходах – бази транзистора VT3 і діода VD3. Повторювач створює на навантаженні струм, який у 50-100 раз перевищує його вхідне значення. Це забезпечує швидкий заряд паразитної ємності Сп. Часові діаграми роботи ТТЛ елемента співпадають з рис 2.8.
У процесі перемикання є короткочасний інтервал, коли транзистор VT4 уже відкритий, а VT3 – ще не встиг закритися. При цьому виникає значний імпульс струму від джерела живлення на землю (наскрізний струм). Для зменшення амплітуди наскрізного струму в колекторі транзистора VT3 встановлено обмежувальний резистор R0=100…200 Ом.
Розглянута схема елемента ТТЛ із складним інвертором є типовою для ТТЛ серій К131, К133, К155 та ін.
Принцип роботи транзисторів Шоткі.
Елементи ТТЛШ в порівнянні з ТТЛ мають вищу швидкодію і меншу споживану потужність, що досягається застосуванням діодів Шоткі. Принцип роботи діода Шоткі базується на використанні потенціального бар’єру, що утворюється в приконтактній області між металом і напівпровідником. У діодах Шоткі не має накопичення та розсмоктування заряду викликаного неосновними носіями заряду. Час перемикання діодів Шоткі дуже малий (до 1 нс) і не залежить від температури. Падіння напруги на переході в діодах Шоткі становить 0,3-0,4 В.
У режимі насичення на колекторі кремнієвого транзистора діє пряма напруга UКБ=0,7 В, внаслідок чого колектор відкривається й інжектує електрони в базу. Це викликає затримку вимикання, обумовлену часом розсмоктування tроз (рис. 2.14, а). При наявності між базою та колектором діода Шоткі (рис. 2.14, б) колектор при відкриванні транзистора не переходить у режим насичення, оскільки пряма напруга UКБ=0,4 В. Транзистор з діодом Шоткі між базою і колектором називають транзистором Шоткі (рис. 2.14, в).
Транзистор Шоткі не переходить у режим насичення і виключається затримка вимикання, а швидкодія збільшується приблизно в 3-5 разів.