Определение положения контакта двух сред
На рис. 21 приведена кривая, полученная над вертикальным контактом, перекрытым наносами, при помощи симметричной установки AMNB. То, что наблюденная кривая связана с контактом, подтверждается наличием на ней трёх ступеней: первая Ст1 соответствует породам низкого сопротивления (ρ1), вторая Ст2- зоне контакта, третья Ст3- породам высокого сопротивления (ρ2). Положение контакта в данном случае определяется как середина участка с резким изменением ρк (середина участка а - б на рис. 22).
1 – поверхностный слой, 2 – слой высокого сопротивления.
Рисунок 21- Вид кривой ρк над контактом двух сред при наблюдении симметричной установкой.
Если на графике ρк более четко выражены пики, то плоскость контакта падает в сторону среды с меньшим сопротивлением (рис. 22, а), если на графике более четко выражены впадины, то в сторону среды с большим сопротивлением (рис. 22, а).
Рисунок 22 - Графики ρк над наклонным контактом при падении его в сторону среды с меньшим (а) и большим (б) сопротивлением.
При наблюдении над контактом установки КЭП и ДП наблюдается расхождение кривых прямой и обратных установок.
На рис. 22 изображены графики КЭП. Как видно, зона контакта располагается в середине области расхождения кривых (точка К). Направление падения контакта определяется также, как и при наблюдении симметричной установкой.
Более точно местоположение контакта в случае наклонного падения его можно установить по характерным точкам пиков (П) и впадин (В). Если более четко выражены пики, то для определения места контакта надо отложить величину MN/2, от пика обратной установки в сторону пониженного сопротивления, если более четко выражены впадины, то от впадины прямой установки в сторону среды повышенного сопротивления.
1 – график ρк опорной установки (AMNC_к) 2 – график обратной установки (BNMC_к); По – обратной установки; Ва прямой установки
Рисунок 23 - Определение положения контакта по графикам КЭП.
Таблица 3.1
| Глубина, м | АВ=24 | MN=12 | ||
| Вариант№1 | Вариант№2 | Вариант №3 | ||
| ρк, Ом*м | ρк, Ом*м | AMN C∞ | ВMN C∞ | |
Продолжение таблицы 3.1
Контрольные вопросы:
1. Изложите сущность метода электропрофилирования. Перечислите его модификации.
2. В каком случае плоскость контакта падает в сторону среды с меньшим сопротивлением? С большим?
3. Изложите сущность метода КЭП.
4. Как определяется направление падения контакта на графиках КЭП?
5. Как можно более точно установить местоположение контакта в случае наклонного падения?
Практическая работа №4.