Максимально допустимые параметры. Задание на курсовую работу стр

Далее ⇒

Содержание

Цель работы стр. 3

Задание на курсовую работу стр. 4

Построение нагрузочной прямой по постоянному току стр. 6

Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке cтр. 8

Расчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения стр. 9

Граничные и предельные частоты биполярного транзистора стр. 11

Определение сопротивления транзистора по переменному току стр. 12

Построение сквозной характеристики I_к(U_бэ) стр. 13

Определение динамических параметров усилительного каскада стр. 14

Определение коэффициента нелинейных искажений стр. 16

Заключение стр. 17

Список литературы стр. 18

Приложение стр. 19

Цель курсовой работы

В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.

2. Задание на курсовую работу

Исходные данные к курсовой работе

o Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ КТ201Г

o Напряжение источника питания_ _ _ _ Е_п=9В

o Сопротивление в цепи коллектора_ _ _R_к=390 Ом

o Сопротивление нагрузки_ _ _ _ _ _ _ _ R_н=470 Ом

В соответствии с заданными исходными данными выбираем схему включения с общим эмиттером и с эмиттерной стабилизацией.

Характеристики используемого транзистора

Проектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ201Г. Транзистор КТ201Г – кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p типа, предназначенный для использования в усилительных системах.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора 0,6 г.[2]

Электрические параметры

Наименование	Обозначение	Значения	Режимы измерения
Min	Max	U_к,В	U_э,В	I_к,мА	I_э,мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА	I_кбо
Обратный ток эмиттера, мкА	I_эбо
Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала	h₂₁_б		3*10^-8
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	\|h_21Э\|						10⁴
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером	h_21Э
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., мкСим	h₂_2б
Ёмкость коллекторного перехода, пФ	C_K						10⁴

Максимально допустимые параметры

Гарантируются при температуре окружающей среды Т_с=-60…+125 ⁰С.

I_к_max – постоянный ток коллектора, А
I_{к ,и}_max – импульсный ток коллектора, А
U_{к б}_max – постоянное напряжение коллектор-база, В
U_кэ_max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер,В
U_эб_max – постоянное напряжение эмиттер-база, В
P_к_max – постоянная рассеиваемая мощность, мВт
При Т_с=-60…+90 ⁰С
При Т_с=125 ⁰С …
Т_{п мах} - Температура перехода, ⁰С
Допустимая температура окружающей среды, ⁰С	-60…+125

При повышении температуры от 90 до 125 ⁰С допустимая мощность уменьшается линейно.

Рис1.Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией

Далее ⇒