Построение нагрузочной прямой по постоянному току. На семействе выходных характеристик построим нагрузочную прямую по постоянному току
На семействе выходных характеристик построим нагрузочную прямую по постоянному току. Нагрузочная прямая строится по уравнению:
, где 
Нагрузочную прямую строим по двум точкам:
1. при Iк=0 и Uкэ = Eп = 9 В
 |
 |
2. при Uкэ=0 и 
Рис.2 Выходные характеристики используемого транзистора
Рабочая точка выбирается посередине участка насыщения в точке пересечения нагрузочной прямой с выходной характеристикой (рис.2).
Рис.3 Входные характеристики используемого транзистора
Параметры режима покоя:
Uкэ0 = 6 В, Iк0= 6,5 мА, Iб0= 0,05 мА, Uбэ0= 0,74 В.
Стабилизация тока осуществляется за счет последовательной отрицательной обратной связи, которая вводится с помощью резистора Rэ. Нежелательная обратная связь по переменному току может быть устранена путем шунтирования резистора Rэ конденсатором большой емкости.
Определим величины резисторов R1 и R2:
Номинал R1=27 кОм.
НоминалR2=5,1 кОм.
Определение малосигнальных параметров транзистора
1. Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора:
2. Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора:
3. Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора:
4. Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принят 
Для повышения точности расчетов приращения ∆Iк , ∆Iб, ∆Uбэ, ∆Uкэ берем симметрично относительно рабочей точки.
Определение величин эквивалентной схемы транзистора
Физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиколетто) представлена на рис. 4.
Рис. 4. Физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора
1. Барьерная ёмкость коллекторного перехода:
2. Выходное сопротивление транзистора:
3. Сопротивление коллекторного перехода:
4. Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока:
5. Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока:
6. Распределение сопротивления базы:
7. Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода:
8. Собственная постоянная времени транзистора:
9. Крутизна транзистора:
Граничные и предельные частоты биполярного транзистора
Граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ: 
Предельная частота в схеме с ОЭ:
Предельная частота в схеме с ОБ:
Предельная частота транзистора по крутизне:
Максимальная частота генерации: