ПАРАМЕТРЫ ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
1. Пиковый ток 
– максимальный туннельный ток, соответствующий полному перекрытию заполненных и свободных разрешенных уровней (сотни мкА – сотни мА).
2. Напряжение пика 
– прямое напряжение, соответствующее максимальному (пиковому) току (40…150 мВ), для германиевых диодов – (40…60 мВ), для арсенидгаллиевых – (100…150 мВ).
3. Ток впадины 
– прямой ток в точке минимума ВАХ.
4. Напряжение впадины 
– прямое напряжение, соответствующее току впадины (Ge 250…350 мВ, GaAs – 400…500 мВ).
5. Отношение токов 
– отношение пикового тока к току впадины (Ge – = 3...6, GaAs – 
10), которое характеризует различимость двух логических уровней сигнала при работе схемы в режиме переключения.
6. Напряжение скачка (раствора) 
– это перепад напряжения между максимальным туннельным током и таким же значением диффузионного тока.
7. Отрицательное дифференциальное сопротивление 
определяется на середине падающего участка ВАХ.
8. Удельная емкость 
– отношение емкости туннельного диода к пиковому току.
9. Интервал рабочих температур (Ge до +200 °C; Si до +400 °С; GaAs до +600 °С).
10. Предельная резистивная частота 
– это частота, на которой активная составляющая полного сопротивления последовательной цепи, состоящей из p–n перехода и сопротивления потерь, обращается в нуль 
.
11. Резонансная частота – частота, на которой общее реактивное сопротивление p–n перехода и индуктивности выводов диода обращается в нуль
.
Примером туннельных диодов являются: ГИ201, КИ303, АИ102.
Обращенные диоды
Обращенные диоды выполняются на основе полупроводника с критической концентрацией примесей, в котором проводимость при обратном смещении значительно больше, чем при прямом напряжении.
На рис. 2.23 представлена вольт–амперная характеристика и условное обозначение обращенного диода.
При концентрации примесей порядка 
уровень Ферми находится на потолке валентной зоны p–области и на дне зоны проводимости n–области. При подаче обратного напряжения происходит туннельный перенос электронов из валентной зоны p–области на свободные уровни зоны проводимости n–области, и через диод протекает большой обратный ток.
При прямом смещении диода, перекрытия зон не происходит и прямой ток определяется только диффузионным током. Рабочим участком обращенного диода является обратная ветвь ВАХ, что отражено в его названии. Данный тип диодов используется в детекторах, смесителях СВЧ диапазона и переключающих устройствах.
ГЛАВА 3
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Биполярным транзистором называют электропреобразовательный прибор, имеющий два p–n перехода, пригодный для усиления мощности электрических сигналов. По принципу действия транзисторы делятся на: биполярные и полевые. В работе биполярных транзисторов используются носители обеих полярностей (дырки и электроны), что и отражено в их названии. В полевых (униполярных) транзисторах используется движение носителей одного знака.
Особенность биполярного транзистора состоит в том, что между его электронно–дырочными переходами существует взаимодействие – ток одного из переходов может управлять током другого.
По порядку чередования p–n переходов транзисторы бывают: n–p–n и p–n–p типов (рис. 3.1).
Область транзи-стора, расположенная между p–n переходами, называют базой. Одна из примыкающих к базе областей должна наиболее эффективно осуществлять инжекцию носителей в базу, а другая – экстрагировать носители из базы.
Область транзистора, из которой происходит инжекция носителей в базу, называют эмиттером, а переход эмиттерным.
Область транзистора, осуществляющая экстракцию носителей из базы, называют коллектором, а переход коллекторным.
По применяемому материалу транзисторы классифицируются на германиевые, кремниевые и арсенид-галлиевые.
По технологии изготовления транзисторы бывают: сплавные, диффузионные, эпитаксиальные, планарные. Толщина базы делается значительно меньше диффузионной длины неосновных носителей в ней. При равномерном распределении примеси в базе внутреннее электрическое поле в базе отсутствует, и неосновные носители движутся в ней вследствие процесса диффузии. Такие транзисторы называют диффузионными или бездрейфовыми. При неравномерном распределении примесей в базе имеется внутреннее электрическое поле, и неосновные носители движутся в ней в результате дрейфа и диффузии. Такие транзисторы называют дрейфовыми.
Кроме того, концентрация атомов примеси в эмиттере и коллекторе (низкоомные области) значительно больше, чем в базе (высокоомная область).
Площадь коллекторного перехода больше эмиттерного, что способствует увеличению коэффициента переноса носителей из эмиттера в коллектор.
По мощности, рассеиваемой коллекторным переходом, транзисторы бывают:
малой мощности P < 0,3 Вт;
средней мощности 0,3 Вт < P < 1,5 Вт;
большой мощности P > 1,5 Вт.
По частотному диапазону транзисторы делятся на:
низкочастотные 
< 3 МГц;
среднечастотные 3 МГц < < 30 МГц;
высокочастотные 30 МГц < < 300 МГц;
сверхвысокочастотные > 300 МГц.
Обозначение биполярных транзисторов состоит из шести или семи элементов.
Первый элемент – буква или цифра, указывающая исходный материал: Г(1) – германий, К(2) – кремний, А(3) – арсенид галлия.
Второй элемент буква, указывающая на тип транзистора Т – биполярный, П – полевой.
Третий элемент – цифра, указывающая на частотные и мощностные свойства (табл. 3.1)
Таблица 3.1