Фотопроводимость полупроводников
Фотопроводимость полупроводников – это электрическая проводимость, возбуждённая электромагнитным излучением за счёт обусловленного действием света перераспределением электронов по энергетическим уровням.
Фотопроводимость обусловлена внутренним фотоэффектом. В полупроводнике под действием света образуются дополнительные неравновесные носители тока.
Общая удельная электрическая проводимость полупроводника
, где
темновая удельная электрическая проводимость;
удельная электрическая фотопроводимость.
У собственного беспримесного полупроводника фотон с энергией, равной или большей ширины запрещённой зоны 
переводит электрон из валентной зоны в зону проводимости. При этом образуется пара – электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне.
, где
число пар неравновесных носителей – электронов и дырок, генерируемых светом в единице объёма полупроводника за 1 с ;
и 
среднее время жизни электронов и дырок.
В примесных донорных и акцепторных полупроводниках электроны под действием света могут переходить из валентной зоны на уровни примеси или с примесных уровней в зону проводимости.
Требование к энергии фотона 
, где 
энергия активации соответствующей проводимости, означает, что существует красная граница внутреннего фотоэффекта
Для собственной проводимости полупроводника при 
получаем 
нм, что соответствует жёлтому свету.
Видимый и ультрафиолетовый свет может вызвать фотопроводимость не только полупроводников, но и диэлектриков, у которых 
> 2 эВ.
У примесных полупроводников энергия активации проводимости ~ 0,01 – 0,1 эВ и 
м, что соответствует инфрокрасной области света.
На внутреннем фотоэффекте основано действие фотосопротивлений. Количество образующихся носителей тока пропорционально падающему световому потоку. В видимой части спектра применяются фотосопротивления , изготовленные из сернистого кадмия CdS. Фотосопротивления из PbS, PbSe, PbTe , InSb используются в качестве детекторов инфракрасного излучения (Sb – сурьма)
Световая чувствительность 
(мА/лм) у полупроводниковых фотосопротивлений приблизительно в 100000 раз больше, чем у вакуумных фотоэлементов.
В области р-п перехода или на границе металла с полупроводником может наблюдаться вентильный фотоэффект. Он заключается в возникновении под действием света электродвижущей силы (фото-ЭДС).
Сплошная кривая – ход
потенциальной энергии электронов
в (р-п)-переходе.
Штриховая кривая – ход
потенциальной энергии дырок
в (р-п)-переходе.
Неосновные для данной области носители (электроны в р-области и дырки в п-области), возникшие под действием света, беспрепятственно проходят через переход. В результате в р-области накапливается избыточный положительный заряд, а в п-области – избыточный отрицательный. Это приводит к возникновению разности потенциалов, которое и представляет собой фото-ЭДС. Если подключить кристалл с (р-п)-переходом к внешней нагрузке, то в ней будет течь ток. На этом основано действие фотометров и солнечных батарей.