Перечень используемой литературы. Практическое занятие № 8

3
Далее ⇒

Практическое занятие № 8

Изучение конструктивных и функциональных типов

Оперативной памяти

Цель занятия: познакомиться с конструктивными особенностями

модулей ОЗУ и видами ОЗУ в зависимости от функциональных возможностей .

Теоретические сведения

Оперативная память может строиться на микросхемах динамического (Dinamic Random Access Memory –DRAM) или статического (Static Random Access Memory –SRAM) типа.

В динамической памяти ячейки построены на основе полупроводниковых областей с накоплением зарядов - конденсаторов, занимающих гораздо меньшую площадь, нежели триггер, и практически не потребляющих энергии при хранении. Поскольку конденсаторы постепенно разряжаются (заряд сохраняется в ячейке несколько миллисекунд), то во избежание потери хранимой информации заряд в них необходимо постоянно регенерировать, отсюда и название памяти– динамическая. На подзаряд тратится и энергия и время, и это снижает производительность системы.

Ячейки динамической памяти по сравнению со статической имеют большее время срабатывания (десятки наносекунд), большую удельную плотность (порядка десятка мегабайт на корпус ) и меньшее энергопотребление. Динамическая память используется для построения оперативных запоминающих устройств основной памяти.

ОЗУ предназначено для хранения информации (программ и данных) непосредственно участвующих в вычислениях в текущий интервал времени. Основу ОЗУ составляют микросхемы динамической памяти (DRAM). Это большие интегральные схемы, содержащие матрицы полупроводниковых запоминающих элементов – конденсаторов. Наличие заряда в конденсаторе означает «1», отсутствие заряда «0».

Микросхемы памяти объединяются на специальных печатных платах, образуя с дополнительными элементами модули памяти- SIMM, DIMM или RIMM. Элементы памяти всегда организованны в банки.

Банк памяти образуют модули, заполнившие шину.

Временная диаграмма показывает зависимость тактовой частоты системной шины от типа памяти. Она характеризует количество тактов, которые необходимы CPU для выполнения 4 последовательных операций считывания данных. Например, 8 разрядная микросхема памяти, EDO DRAM имеет временную диаграмму 5-2-2-2, означает, что для считывания первого байта надо 5 тактов CPU, а для считывания 3-х следующих байтов 2 такта.

Модули памяти характеризуются конструктивом, емкостью, временем обращения и надежностью. Надежностью работы современных модулей памяти высока – среднее время наработки на отказ сотни тысяч часов.

Различают следующие типы оперативной памяти:

- FPM DRAM- динамическая память с быстрым страничным доступом;

- EDO RAM – динамическая память с расширенным удержанием данных на выходе;

- BEDO RAM – EDO RAM с блочным доступом;

- SDRAM – синхронная динамическая память;

- DDR SDRAM – SDRAM c передачей информации по обоим фронтам тактового сигнала;

- DRD RAM – динамическая память с прямой шиной.

Порядок выполнения

1. Познакомиться с натуральными образцами модулей DIP, SIMM, DIMM, RIMM и способами установки их на материнскую плату.

2. Используя справочные источники (литературу или энциклопедию ПК в электронном варианте) заполнить ниже приведенные таблицы.

Таблица 1 систематизирует классификацию модулей по конструктивному исполнению и включает следующие пункты: английскую и русскую расшифровку обозначения, быстродействие, разрядность, рабочую частоту, емкость, число контактов, длину модуля.

Таблица 2 систематизирует классификацию модулей по функциональному исполнению и включает следующие пункты: английскую и русскую расшифровку обозначения, быстродействие, скорость передачи, рабочую частоту, конструктив, временную диаграмму.

Содержание отчета:название работы, цель работы, заполненныетаблицы 1 и 2, выводы по работе.

Контрольные вопросы

1. На каких элементах строится DRAM и SRAM память?

2. Применение DRAM и SRAM памяти.

3. Почему память называется динамической?

4. Дать определение разрядности и глубины адресного пространствамикросхемы памяти.

4. Дать понятие банка памяти.

5. Назначение контроллера памяти.

6. Расшифровать временную диаграмму: 6-3-3-3.

Перечень используемой литературы

1 Инструкционная карта для выполнения практического занятия

2 Конспект теоретического занятия.

3 Максимов Н.В., Партыка Т.Л., Попов И.И. Архитектура ЭВМ и вычислительных систем.- Москва –ФОРУМ-ИНФА-М.2006 г.

4 Пескова С.А., Кузин А.В. Архитектура ЭВМ. – Москва ФОРУМ-ИНФА-М.2006 г.

Тип модуля	Английская расшифровка	Русская расшифровка	Быстро- дествие, нс	Разряд- ность ШД, бит	Рабочая частота, Мгц	Ёмкость, Мбайт	Число контактов, шт.	Длина модуля, мм
SIMM
DIMM
RIMM

Таблица 1 -Конструктивные виды ОЗУ

Таблица 2 - Функциональные типы оперативной памяти

Тип ОЗУ	Английская расшифровка	Русская расшифровка	Быстро- дейст,нс	Скор.перед, Мбайт/с	Частота, МГц	Конструктив	Временная диаграмма. Особенности памяти.
FRM DRAM
EDO RAM
BEDO DRAM
S DRAM
DDR S DRAM
DR DRAM

3
Далее ⇒